Вышедшие номера
Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC
Фоминский В.Ю.1, Григорьев С.Н.2, Романов Р.И.1, Зуев В.В.1, Григорьев В.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Получены тонкопленочные структуры на основе газочувствительного оксида вольфрама и каталитической платины, нанесенных при комнатной температуре на карбидокремниевую пластину с использованием импульсных методов лазерного и ионно-плазмeнного осаждения. Нагрев на воздухе до 600oC оксидных слоев вызывал формирование микро- и наноструктурированных кристаллических состояний, зависящих от условий осаждения. Структурные различия отражались на электрофизических параметрах и стабильности характеристик. Максимальная реакция на водород обнаружена в структуре, полученной осаждением низкоэнергетичного лазерно-инициированного потока атомов вольфрама в кислороде. Сдвиг вольт-амперных кривых по напряжению в смеси 2% H2 в воздухе при 350oC достигал 4.6 В при токе ~10 мкА. Метастабильность полученных структур обусловливала заметное уменьшение сдвига после длительных циклических испытаний. Наиболее стабильные величины сдвига составили ~2 В при положительном смещении на Pt-контакте и были обнаружены для оксидных пленок, полученных ионно-плазменным распылением.