Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)

Иванов П.А.¹, Грехов И.В.¹, Потапов А.С.¹, Коньков О.И.¹, Ильинская Н.Д.¹, Самсонова Т.П.¹, Korol'kov O.², Sleptsuk N.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Department of Electronics, Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia

Поступила в редакцию: 6 сентября 2011 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, имеющих интегрированную шоттки-(p-n)-структуру (JBS, Junction Barrier Schottky). Для исследований использовались коммерческие диоды, а также специально изготовленные (на основе коммерческого эпитаксиального материала) тестовые диоды Шоттки как с JBS-структурой, так и без нее. Показано, что: 1) основную роль в протекании обратного тока играют дефекты кристаллической структуры SiC, по всей вероятности, дислокации (плотность ~10⁴ см^-2); 2) JBS-структура, формируемая с помощью имплантации бора, способствует частичному подавлению токов утечки (до 10 раз при оптимальном зазоре, между локальными p-областями, равном 8 мкм).

R. Held, N. Kaminski, E. Niemann. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 1057 (1998)
F. Dahlquist, C.M. Zetterling, M. Ostling, K. Rottner. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 1061 (1998)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Т.В. Семенов. ФТП, 45 (10), 1427 (2011)
http://www.cree.com/products/pdf/CPW3-1700S010.pdf
M.L. David, G. Alfieri, E.M. Monakhov, A. Hallen, C. Blanchard, B.G. Svensson, J.F. Barbota. J. Appl. Phys., 95 (9), 4728 (2004)
Q. Wahab, A. Ellison, A. Henry, E. Janzen, C. Hallin, J. Di Persio, R. Martinez. Appl. Phys. Lett., 76, 2725 (2000)
B. Hull, J. Sumakeris, M. O'Loughlin, J. Zhang, J. Richmond, A. Powell, M. Paisley, V. Tsvetkov, A. Hefner, A. Rivera. Mater. Sci. Forum, 600-- 603, 931 (2009)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44 (5), 680 (2010)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 43 (4), 527 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель