"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики
Зуев Д.А.1, Лотин А.А.1, Новодворский О.А.1, Лебедев Ф.В.1, Храмова О.Д.1, Петухов И.А.2, Путилин Ф.Н.2, Шатохин А.Н.2, Румянцева М.Н.2, Гаськов А.М.2
1Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Шатура, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Методом импульсного лазерного осаждения выращены тонкие пленки оксида индия и олова (ITO) на подложках из кварцевого стекла. Проведены исследования структурных, электрических и оптических свойств пленок ITO в зависимости от температуры подложки, давления кислорода в вакуумной камере и концентрации Sn в мишени. Пропускание полученных пленок ITO в видимой области спектра превышает 85%. Достигнуто минимальное значение удельного сопротивления 1.79· 10-4 Ом·см в пленках ITO с содержащием Sn 5 ат%.
  1. S.H. Kim, N. Park, T.Y. Kim, G.Y. Sung. Thin Sol. Films, 475, 262 (2005)
  2. C. Viespe, I. Nicolae, C. Sima, C. Grigoriu, R. Medianu. Thin Sol. Films, 515, 8771 (2007)
  3. T. Maruyama, K. Fukui. Thin Sol. Films, 201 (2), 297 (1991)
  4. A. Suzuki, K. Maki. Chem. Vapor Deposition, 12 (10), 608 (2006)
  5. A.A. Karim, C. Deshpandey, H.J. Doerr, R.F. Bynshah. Thin Sol. Films, 172 (1), 111 (1989)
  6. C. May, J. Strumpfel. Thin Sol. Films, 351 (1-2), 48 (1999)
  7. F.El Akkad, A. Punnoose, G. Prabu. Appl. Phys. A, 71 (2), 157 (2000)
  8. R.B.H. Tahar, T. Ban, Y. Ohya, Y. Takahashi. J. Appl. Phys., 83, 2139 (1998)
  9. M. Ritala, T. Asikainen, H. Leskela. Electrochem. Solid-State Lett., 1, 156 (1998)
  10. H. Kim, J.S. Horwitz, A. Pique, C.M. Gilmore, D.B. Chrisey. Appl. Phys. A, 69 (7), 447 (1999)
  11. H. Kim, J.S. Horwitz, G.P. Kushto, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. Appl. Phys. Lett., 79, 284 (2001)
  12. J.H. Shin, S.H. Shin, J.I. Park, H.H. Kim. J. Appl. Phys., 89, 5199 (2001)
  13. H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, M. Motoyama. Thin Sol. Films, 411, 32 (2002)
  14. P.F. Carcia, R.S. Mc Lean, M.H. Reily, Z.G. Li, L.J. Pillone, R.F. Messier. Appl. Phys. Lett., 81, 1800 (2002)
  15. K.A. Sierros, D.R. Cairns, J.S. Abell, S.N. Kukureka. Thin Sol. Films, 518 (10), 2623 (2010)
  16. D. Kim, S. Kim. Surf. Coat. Technol., 176, 23 (2003)
  17. О.А. Новодворский, А.А. Лотин, В.Я. Панченко, Л.С. Паршина, Е.В. Хайдуков, Д.А. Зуев, О.Д. Храмова. Квант. электрон., 41 (1), 4 (2011)
  18. О.А. Новодворский, Л.С. Горбатенко, В.Я. Панченко, О.Д. Храмова, Е.А. Черебыло, К. Венцель, Й.В. Барта, В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев. ФТП, 43 (4), 439 (2009)
  19. E. Holmelund, J. Schou, B. Thestrup, S. Tougaard, E. Johnson, M.M. Nielsen. Appl. Phys. A, 79, 1137 (2004)
  20. T.K. Yong, T.Y. Tou, B.S. Teo. Appl. Surf. Sci., 248, 388 (2005)
  21. A. Suzuki, T. Matsushita, T. Aoki, A. Mori, M. Okuda. Thin Sol. Films, 411 (1), 23 (2002)
  22. R.K. Gupta, K. Ghosh, S.R. Mishra, P.K. Kahol. Mater. Lett., 62, 1033 (2008)
  23. F.O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, K. Yamada, H. Matsui, M. Motoyama. Thin Solid Films, 350 (1-2), 79 (1999)
  24. D.B. Chrisey, G.K. Hubler. Pulsed Laser Deposition of Thin Films (N. Y., John Wiley \& Sons, Inc., 1994)
  25. M. Mizuhashi. Thin Sol. Films, 70 (1), 91 (1980)
  26. R. Eason. Pulsed Laser Deposition of Thin Films: Applicatians --- Led Growth of Functional Materials (N. Y., John Wiley \& Sons, Inc., 2006)
  27. M. Aven, J. Prener. Physics and chemistry of II-VI compounds (Amsterdam, North-Holland Publishing Company, 1970)
  28. D.S. Ginley, H. Hosono, D.C. Paine. Handbook of Transparent Conductors (N. Y., Springer Science+Business Media, 2010)
  29. I. Hamberg, C.G. Granqvist, K.-F. Berggren, B.E. Sernelius, L. Engstrom. Phys. Rev. B, 30, 3240 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.