"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния
Сивков В.Н.1, Ломов А.А.2, Васильев А.Л.3, Некипелов С.В.4, Петрова О.В.1
1Коми научный центр УpО РАН, Сыктывкар, Россия
2Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
4Коми педагогический институт, Сыктывкар, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Обсуждаются результаты комплексных исследований слоев пористого кремния разного типа проводимости, сформированных анодированием стандартных подложек Si(111) в электролите на основе плавиковой кислоты и этанола с добавлением 5% йода и выдержанных длительное время на атмосфере. Измерения проводились методами растровой электронной микроскопии, высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Определены структурные параметры слоев (толщина, деформация и пористость), а также атомный и химический состав поверхности пористого кремния. Установлено, что на поверхности кремниевого скелетона формируется слой оксида толщиной 1.5-2.3 нм. Ближняя тонкая структура Si 2p-спектра поглощения этого слоя соответствует тонкой структуре 2p-спектра хорошо координированного SiO2. При этом тонкая структура в области Si 2p-края поглощения кремниевого скелетона идентична структуре 2p-спектра поглощения кристаллического кремния.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
  2. L.T. Canham, T.I. Cox, A. Loni, A.J. Simons. Appl. Surf. Sci., 102, 436 (1996)
  3. G. Korotchenkov, B.K. Cho. Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci., 35, 1 (2010)
  4. H. Foll, M. Leisner, A. Cojocaru, J. Carstensen. Materials, 3, 3006 (2010)
  5. T.В. Волошина, Т.Н. Заварицкая, И. В. Кавецкая, В.А. Караванский, Д.А. Ромашов. Журн. прикл. спектроскопии, 69 (2), 238 (2002)
  6. А.С. Воронцов, Л.А. Осминкина, А. Е. Ткаченко, Е.А. Константинова, В.Г. Еленский, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 41 (8), 972 (2007)
  7. А.А. Ломов, В.А. Бушуев, А.А. Карцев, В.А. Караванский, А.Л. Васильев. Кристаллография, 54 (3), 410 (2009)
  8. F. Boscherini. Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures, еd. by C. Lamberti (Elsevier, 2008) p. 289
  9. R.R. Kunz, P.M. Nitishin, H.R. Clark, M. Rothschild, B. Ahern. Appl. Phys. Lett., 67, 1766 (1995)
  10. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  11. Y. Chao. Comprehensive Nanosci. Technol., 1, 543 (2011)
  12. T. van Buuren, Y. Gao, T. Tiedje, J.R. Dahn, B.M. Way. Appl. Phys. Lett., 60, 3013 (1992)
  13. J. Stohr. NEXAFS spectroscopy (Berlin, Springer, 1992)
  14. S.I. Fedoseenko, D.V. Vyalikh, I.E. Iossifov, R. Follath, S.A. Gorovikov, R. Puttner, J.-S. Schmidt, S.L. Molodtsov, V.K. Adamchuk, W. Gudat, G. Kaindl. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 505, 718 (2003)
  15. О.А. Ершов, А.П. Лукирский. ФТТ, 8, 2137 (1966)
  16. F.C. Brown, O.P. Rustgi. Phys. Rev. Lett., 28, 497 (1972)
  17. M. Kasrai, Z. Yin, G. Bancroft, K.H. Tan. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 2694 (1993)
  18. L.A.G. Garvie, P.R. Buseck. American Mineralogist, 84, 946 (1999)
  19. NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database (http://www.nist.gov/srd/nist71.cfm 3)
  20. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, ed. by J. Chastain, R.C. King (Physical Electronics, Inc., Minnesota, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.