Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния кислотно-основных свойств поверхности оксидов ZnO, Fe₂O₃ и ZnFe₂O₄ на их газочувствительность по отношению к парам этанола

Карпова С.С.¹, Мошников В.А.¹, Максимов А.И.¹, Мякин С.В.², Казанцева Н.Е.³

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

³Tomas Bata University in Zlin, 760 01 Zlin, Czech Republic

Поступила в редакцию: 3 декабря 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Синтезированы бинарные (ZnO, Fe₂O₃) и смешанные (ZnFe₂O₄) оксидные газочувствительные материалы, и исследована корреляция между их чувствительностью по отношению к парам этанола и функционально-химическим составом поверхности, изученным методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и адсорбции кислотно-основных индикаторов. Установлено, что чувствительность к этанолу возрастает с увеличением содержания кислотных центров Бренстеда с показателем кислотности рK_a~2.5 и долей поверхностного кислорода, принадлежащего группам ОН/СО₃/С-О. Полученная зависимость обусловлена особенностями взаимодействия между молекулами этанола и гидроксильными группами на поверхности оксидов.

Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1987)
Б.Ф. Мясоедов, А.В. Давыдов. Журн. аналит. химии, 45, 1259 (1990)
N. Taguchi. Gas Detection Device, US Patent (3695848, 1972)
Ю.З. Бубнов. Петербургский журн. электроники, 3, 87 (1996)
A. Heilig, N. Barsan, U. Weimar, M. Schweizer-Berberich, J.W. Gardner, W. Gopel. Sensors Actuators B, 43, 45 (1997)
Д.В. Русских, С.И. Рембеза. ФТП, 43 (6), 811 (2009)
А.И. Максимов, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, О.А. Шилова. Основы золь--гель технологии нанокомпозитов (СПб., Элмор, 2008)
И.Е. Грачева, А.И. Максимов, В.А. Мошников. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 10, 16 (2009)
В.В. Сысоев, Н.И. Кучеренко, В.В. Кисин. Письма ЖТФ, 30 (18), 14 (2004)
V.V. Sysoev, I. Kiselev, M. Frietsch, J. Goschnick. Sensors, 4, 37 (2004)
M. Zuppa, C. Distante, P. Siciliano, K.C. Persaud. Sensors Actuators B, 98, 305 (2004)
А.А. Васильев, И.М. Олихов, А.В. Соколов. Электроника: Наука, технология, бизнес, 2, 24 (2005)
V.A. Moshnikov, I.E. Gracheva, V.V. Kuznezov, A.I. Maximov, S.S. Karpova, A.A. Ponomareva. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2020 (2010)
I.E. Gracheva, V.A. Moshnikov, E.V. Maraeva, O.A. Alexsandrova, N.I. Alekseyev, V.V. Kuznetsov, G. Olchowik, K.N. Semenov, A.V. Startseva, A.V. Sitnikov, J.M. Olchowik. J. Non-Cryst. Sol., 358, 433 (2012)
U.-S. Choi, G. Sakai, K. Shimanoe, N. Yamazoe. Sensors Actuators B, 107, 397 (2005)
М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. Изв. РАН. Сер. хим., 57, 1086 (2008)
В.В. Кривецкий. Автореф. канд. дис. (М., МГУ, 2010)
S.V. Mjakin, M.M. Sychov, I.V. Vasiljeva. Electron Beam Modification of Solids: Mechanisms, Common Features and Promising Applications (N.Y., Nova Science, Hauppauge, 2009)
А.С. Комолов, С.А. Комолов, Э.Ф. Лазнева, А.М. Туриев. ФТП, 46 (1), 48 (2012)
Л. Фельдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок (М., Мир, 1989)
Н.В. Захарова, М.М. Сычев, В.Г. Корсаков, С.В. Мякин. Конденсированные среды и межфазные границы, 13 (1), 56 (2011)
I.V. Vasiljeva, S.V. Mjakin, A.V. Makarov, A.N. Krasovsky, A.V. Varlamov. Appl. Surf. Sci., 252 (24), 8768 (2006)
A. Hernandez, L. Maya, E. Sanchez-Mora, E.M. Sanchez. J. Sol--Gel Sci. Technol., 42, 71 (2007)
И.В. Васильева, С.В. Мякин, Е.В. Рылова, В.Г. Корсаков. Журн. физ. химии, 76 (1), 84 (2002)
К. Танабе. Твердые кислоты и основания (М., Мир, 1973)
A. Bardhan, C.K. Ghosh, M.K. Mitra, G.C. Das, S. Mukherjee, K.K. Chattopadhyay. Solid State Sci., 12, 839 (2010)
T. Yamashita, P. Hayes. Appl. Surf. Sci., 254, 2441 (2008)
J. Hong, Y. Wang, G. He, J. Wang. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2778 (2010)
X. Duan, C. Song, F. Yu, D. Yuan, X. Li. Appl. Surf. Sci., 257, 4291 (2011)
M. Rumyantseva, V. Kovalenko, A. Gaskov, E. Makshina, V. Yuschenko, I. Ivanova, A. Ponzoni, G. Faglia, E. Comini. Sensors Actuators B, 118, 208 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель