Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон
Морозова Н.К.1, Канахин А.А.1, Мирошникова И.Н.1, Галстян В.Г.2
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Исследованы спектры микрокатодолюминесценции и фотоотражения слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом до 4·1020 см-3. Методика съемки спектров микрокатодолюминесценции давала информацию из объема легированного слоя. Получены экситонные спектры микрокатодолюминесценции, которые определяют концентрацию растворенного кислорода в слоях CdS(O) и влияние отклонения от стехиометрии подложек. В режиме катодолюминесценции растрового электронного микроскопа КЛ РЭМ исследована однородность ионно-легированных слоев. Установлено возникновение светящихся участков, которые обязаны полосе ~630 нм. Выяснена причина усиления этой микрокатодолюминесценции при радиационном отжиге и подтверждена ее природа как свечение центров F+ в CdS. Получены новые результаты по спектрам фотоотражения, которые описывают особенности поведения кислорода как изоэлектронной примеси типа HMAs на поверхности слоев. Показано, что сера полностью связывает и удаляет кислород из CdS(O). Чистый по кислороду CdS остается на поверхности в виде наночастиц, размер которых зависит от концентрации кислорода в слое. Результаты не противоречат теории антипересекающихся зон.
- Д.А. Мидерос. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2008)
- T. Sandu, W.P. Kirk. Phys. Rev. B, 72 (7), 073 204 (2005)
- A.X. Levander, K.M. Yu, S.V. Novikov, A. Tseng, C.T. Foxon, O.D. Dubon, J. Wu, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 97, 141 919 (2010)
- W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Beeman et al. Appl. Phys. Lett., 84 (6), 924 (2004)
- Н.К. Морозова. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
- Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук. ФТП, 42 (9), 1039 (2008)
- Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук и др. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
- T. Sandu, R.I. Iftimie. Sol. St. Commun., 150 (17--18), 888 (2010)
- K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan et al. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246 (2003)
- Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, N 1 (93), 14 (2012)
- Н. Д. Данилевич. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2011)
- Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, N 3 (95), 3 (2012)
- В.Г. Галстян, В.И. Муратова, А.В. Морозов, Н.К. Морозова. Тр. МЭИ, N 171, 49 (1988)
- А.В. Морозов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1993)
- Ю.В. Воронов. Трю ФИАН. Кр. сообщ. по физике, 68, 3 (1973)
- S.S. Vilchinskaya, V.M. Lisitsyn, V.I Korepanov. Func. Mater., 18 (4), 457 (2011)
- И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. ФТП, 2 (11), 1639 (1968)
- Н.К. Морозовa, В.Г. Галстян, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, N 6 (98), (2012) --- в печати
- N.K. Morozova, N.D. Danilevich, A.A. Kanakhin. Phys. Status Solidi C, 7 (6), 1501 (2010)
- Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, А.А. Канахин. Тр. 42-го Междунар. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках" (М., МЭИ, 2012) с. 150
- K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39 (5), 3138 (1989)
- В.В. Краснопевцев, Ю.В. Милютин, П.В. Шапкин. Кр. сообщ. по физике, (8), 12 (1974)
- Y.L. Soo, W.H. Sun. Bull. Am. Phys. Soc., 52 (1), (2007)
- Y.L. Soo, W. H. Sun, S.C. Weng et al. Appl. Phys. Lett., 89, 131 908 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.