"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон
Морозова Н.К.1, Канахин А.А.1, Мирошникова И.Н.1, Галстян В.Г.2
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Исследованы спектры микрокатодолюминесценции и фотоотражения слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом до 4·1020 см-3. Методика съемки спектров микрокатодолюминесценции давала информацию из объема легированного слоя. Получены экситонные спектры микрокатодолюминесценции, которые определяют концентрацию растворенного кислорода в слоях CdS(O) и влияние отклонения от стехиометрии подложек. В режиме катодолюминесценции растрового электронного микроскопа КЛ РЭМ исследована однородность ионно-легированных слоев. Установлено возникновение светящихся участков, которые обязаны полосе ~630 нм. Выяснена причина усиления этой микрокатодолюминесценции при радиационном отжиге и подтверждена ее природа как свечение центров F+ в CdS. Получены новые результаты по спектрам фотоотражения, которые описывают особенности поведения кислорода как изоэлектронной примеси типа HMAs на поверхности слоев. Показано, что сера полностью связывает и удаляет кислород из CdS(O). Чистый по кислороду CdS остается на поверхности в виде наночастиц, размер которых зависит от концентрации кислорода в слое. Результаты не противоречат теории антипересекающихся зон.
  1. Д.А. Мидерос. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2008)
  2. T. Sandu, W.P. Kirk. Phys. Rev. B, 72 (7), 073 204 (2005)
  3. A.X. Levander, K.M. Yu, S.V. Novikov, A. Tseng, C.T. Foxon, O.D. Dubon, J. Wu, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 97, 141 919 (2010)
  4. W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Beeman et al. Appl. Phys. Lett., 84 (6), 924 (2004)
  5. Н.К. Морозова. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
  6. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук. ФТП, 42 (9), 1039 (2008)
  7. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук и др. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
  8. T. Sandu, R.I. Iftimie. Sol. St. Commun., 150 (17--18), 888 (2010)
  9. K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan et al. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246 (2003)
  10. Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, N 1 (93), 14 (2012)
  11. Н. Д. Данилевич. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2011)
  12. Н.К. Морозова, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, N 3 (95), 3 (2012)
  13. В.Г. Галстян, В.И. Муратова, А.В. Морозов, Н.К. Морозова. Тр. МЭИ, N 171, 49 (1988)
  14. А.В. Морозов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1993)
  15. Ю.В. Воронов. Трю ФИАН. Кр. сообщ. по физике, 68, 3 (1973)
  16. S.S. Vilchinskaya, V.M. Lisitsyn, V.I Korepanov. Func. Mater., 18 (4), 457 (2011)
  17. И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. ФТП, 2 (11), 1639 (1968)
  18. Н.К. Морозовa, В.Г. Галстян, В.И. Олешко, Н.Д. Данилевич, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, N 6 (98), (2012) --- в печати
  19. N.K. Morozova, N.D. Danilevich, A.A. Kanakhin. Phys. Status Solidi C, 7 (6), 1501 (2010)
  20. Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, А.А. Канахин. Тр. 42-го Междунар. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках" (М., МЭИ, 2012) с. 150
  21. K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39 (5), 3138 (1989)
  22. В.В. Краснопевцев, Ю.В. Милютин, П.В. Шапкин. Кр. сообщ. по физике, (8), 12 (1974)
  23. Y.L. Soo, W.H. Sun. Bull. Am. Phys. Soc., 52 (1), (2007)
  24. Y.L. Soo, W. H. Sun, S.C. Weng et al. Appl. Phys. Lett., 89, 131 908 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.