"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на подвижность носителей заряда в кристаллах моноселенида индия
Абдинов А.Ш.1, Бабаева Р.Ф.2, Амирова С.И.1, Рзаев Р.М.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 29 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

В диапазоне температур T=77-600 K экспериментально исследована зависимость подвижности носителей тока (mu) от исходного темнового удельного сопротивления при 77 K (rhod0), температуры и уровня легирования (N) редкоземельными элементами типа гадолиния (Gd), гольмия (Ho), диспрозия (Dy) в кристаллах моноселенида индия (InSe) n-типа проводимости. Установлено, что обнаруженные с точки зрения теории подвижности носителей тока в кристаллических полупроводниках аномалии в зависимостях mu(T), mu(rhod0) и mu(N) связаны прежде всего с частичной неупорядоченностью кристаллов моноселенида индия и удовлетворительно могут объясняться наличием в свободных энергетических зонах хаотических дрейфовых барьеров.
  1. А.М. Гусейнов, Т.И. Садыхов. В сб.: Электрофизические свойства полупроводников и плазмы газового разряда (Баку, АГУ, 1989) с. 42
  2. Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1970)
  3. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 2, с. 25
  4. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  5. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
  6. А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Неорг. матер., 31 (8), 1020 (1995)
  7. В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7 (6), 1314 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.