"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
Винокуров Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Шамахов В.В.1, Бахвалов К.В.1, Васильева В.В.1, Вавилова Л.С.1, Растегаева М.Г.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры AlGaAsP/GaAs как без компенсации, так и с компенсацией внутренних механических напряжений путем введения в различные слои гетероструктуры фосфора, изменяющего параметр решетки слоя и тем самым влияющего на величину внутренних напряжений во всей лазерной гетероструктуре. Из структур изготовлены многомодовые мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм, и исследованы их свойства. Показано, что структуры с компенсацией внутренних механических напряжений обладают линейностью ватт-амперной характеристики вплоть до токов накачки, соответствующих максимальной выходной мощности. Также структуры с компенсацией внутренних механических напряжений имеют более высокие значения характеристических температур T0 и T1 по сравнению со структурой без компенсации внутренних механических напряжений.
  1. K. Shighara, Y. Nagai, S. Karadida, A. Takami, Y. Kokubo, H. Matsubara, S. Kakimoto. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1537 (1991)
  2. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
  3. М.А. Ладугин, Ю.П. Коваль, А.А. Мармалюк, В.А. Петровский. Тез. докл. III Росс. симп. Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., Россия, 2012) с. 17
  4. А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая, В.А. Панарин, Г.Т. Микаелян. Квант. электрон., 42 (1), 15 (2012)
  5. N. Tansu, D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (6), 603 (2000)
  6. W.E. Plano, J.S. Major, D.F. Welch. IEEE Photon. Technol. Lett., 6 (4), 465 (1994)
  7. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (10), 1344 (2012)
  8. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
  9. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.