Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полупроводниковые лазеры (1020-1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1, Винокуров Д.А.1, Бондарев А.Д.1, Капитонов В.А.1, Пихтин Н.А.1, Копьёв П.С.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Теоретически и экспериментально были исследованы подходы к созданию лазерных гетероструктур с расширенным одномодовым волноводом. Показано, что использование n- и p-эмиттеров с различными значениями показателей преломления обеспечивает генерацию только фундаментальной моды при толщине волноводного слоя 2 мкм. Исследованные полупроводниковые лазеры, изготовленные на основе разработанной гетероструктуры, демонстрировали внутренние оптические потери 0.6 см-1 и расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, 23o. В непрерывном режиме генерации при комнатной температуре получена линейная ватт-амперная характеристика до выходной оптической мощности 7 Вт.
- Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
- A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Conolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
- P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
- С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, А.А. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 26 (2003)
- A. Pietrzak, P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, F. Bugge, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics. Quant. Electron., 17 (6), 1715 (2011)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.S. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
- B. Ryvkin, E. Avrutin. J. Appl. Phys., 105, 103 107 (2009)
- H.-G. Treusch, A. Ovtchinnikov, X. He, M. Kanskar, J. Mott, S. Yang. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 6 (4), 601 (2000)
- C.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44, 688 (2009)
- И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 1230 (2012)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
- S. Adachi. Physical properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc. 1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
