"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p+-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод
Карева Г.Г.1, Векслер М.И.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл--диэлектрик--полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до NA~ 1019 см-3 и уменьшению толщины окисла до 0.4-4.0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры.
  1. J. Robertson. Rep. Progr. Phys., 69 (2), 327 (2006)
  2. V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev, S.Y. Yoon, Jo-Won Lee, E.-H. Lee, C.W. Kim. Solid-State Electron., 47 (10), 1651 (2003)
  3. В.Д. Калганов, Н.В. Милешкина, Е.В. Остроумова. ФТП, 37 (3), 372 (2003)
  4. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  5. F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. IEEE J. Quant. Electron., QE-22 (9), 1853 (1986)
  6. F. Capasso, S. Sen, F. Beltram. In: High-Speed Semiconductor Devices, ed. by S.M. Sze. (N.Y., Wiley, 1990) p. 465
  7. S. Watanabe, M. Maeda, T. Sugisaki, K. Tsutsui. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (4B), 2637 (2005)
  8. Г.Г. Карева. ФТП, 33 (8), 969 (1999)
  9. G.G. Kareva, M.I. Vexler, I.V. Grekhov, A.F. Shulekin. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, 2002) p. 570
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  11. А.С. Тагер, Электрон. техн., сер. 1. Электроника СВЧ, вып. 9 (403), 21 (1987)
  12. Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, P. Velling, E. Khorenko, W. Prost, F.J. Tegude. ФТП, 41 (2), 233 (2007)
  13. М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В.В. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
  14. E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Eng., 36 (1--4), 103 (1997)
  15. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.