"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование свойств солнечных элементов на основе a-Si : H-p-i-n-структур с помощью спектроскопии полной проводимости
Гудовских А.С.1, Абрамов А.С.2,3, Бобыль А.В.2, Вербицкий В.Н.2, Зеленцов К.С.1, Ершенко Е.М.2, Кудряшов Д.А.1, Кудряшов C.А.1, Монастыренко А.О.1, Терра А.Р.1, Теруков Е.И.2,3
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия.
Поступила в редакцию: 24 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Проведены исследования свойств солнечных элементов на основе a-Si : H-p-i-n-структур с помощью метода спектроскопии полной проводимости. В спектрах полной проводимости выделены отклики плотности состояний в слоях (i)a-Si : H и находящихся в p-области структуры слоях a-SiС : H. Оценка величины плотности состояний в середине щели подвижности (i)a-Si : H дала значение 5 · 1016-3·эВ-1. Показано, что в процессе фотоиндуцированной деградации происходит рост этой величины до значений ~ 1017-3·эВ-1. Для широкозонных слоев a-SiC : H наблюдавшийся отклик плотности состояний в хвостах валентной зоны позволил дать оценку нижней границы этой величины на уровне Ферми (1018-3·эВ-1) и определить его положение: на 0.4 эВ выше края валентной зоны. Предложенная методика может быть использована для оптимизации конструкции солнечных элементов с целью повышения их кпд.
  1. C.R. Wronski, S. Lee, M. Hicks, S. Kumar. Phys. Rev. Lett., 63, 1420 (1989)
  2. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  3. H.G. Grimmeiss, L.A. Ledebo. J. Appl. Phys., 46, 2155 (1975)
  4. M. Vanecek, A. Abraham, O. Stika, J. Stuchli k, J. Kocka. Phys. Status Solidi A, 83, 617 (1984)
  5. R. Bruggemann, J.P. Kleider. Thin Sol. Films, 403-404, 30 (2002)
  6. D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
  7. D.V. Lang, J.D. Cohen, J.P. Harbison. Phys. Rev. B, 25, 5285 (1982)
  8. J.P. Kleider. Thin Sol. Films, 427, 127 (2003)
  9. R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt. Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion IEEE (Hawaii, USA, 2006) p. 1350
  10. Y. Poissant, P. Chatterjee, P. Roca i Cabarrocas. J. Appl. Phys., 94, 7305 (2003)
  11. A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, R. Chouffot, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 165 307 (2009)
  12. X.D. Liu, E.Y. Jiang, Z.Q. Li. J. Appl. Phys., 102, 073 708 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.