Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах

Юферев В.С.¹, Левинштейн М.Е.¹, Иванов П.А.¹, Zhang Q.J.², Agarwal A.K.², Palmour J.W.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA

Поступила в редакцию: 12 ноября 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически и экспериментально исследованы особенности переходных процессов в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах. Показано, что в хорошем согласии с экспериментальными результатами процесс выключения из активного режима в широком диапазоне температур может быть описан с помощью полученного в работе простого аналитического выражения. Процесс включения транзистора, после которого он оказывается в активном режиме, хорошо описывается простой экспоненциальной зависимостью. При этом постоянная времени включения определяется средним значением коллекторной емкости до и после включения. Предложена численная модель, основанная на простой и физически прозрачной эквивалентной схеме, позволяющая в хорошем согласии с экспериментом описать оба переходных процесса, включения и выключения, в SiC биполярном транзисторе, как в активном режиме, так и в режиме насыщения.

J. Zhang, J.H. Zhao, P. Alexandrov, T. Bur. Electron. Lett., 40, 1381 (2004)
Hiroki Miyake, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda. IEEE Electron. Dev. Lett., 32, 841 (2011)
J. Zhang, P. Alexandrov, T. Burke, J.H. Zhao. IEEE Electron. Dev. Lett., 27, 368 (2006)
P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, Sei-Hyang Ryu, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron. 46, 567 (2002)
B. Buono, R. Ghandi, M. Domeij, B.G. Malm, C.-M. Zetterling, M. Ostling. IEEE Trans. Electron. Dev., 57, 704 (2010)
И.П. Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (М.; Л., Госэнергоиздат, 1963)
J.M. Miller. Scientific Papers of the Bureau of Standards, 15, 367 (1920)
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. "SiC thyristors" in "SiC Materials and Devices", ed. by M. Shur, S. Rumyantsev and M. Levinshtein (World Scientific, 2006) v. 1
Р. Маллер, Т. Кейминс. Элементы интегральных схем (М., Мир, 1989)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, N.Y., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель