Вышедшие номера
Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах AlxGa1-xAs и GaxIn1-xP
Середин П.В.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2, Prutskij T.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Privada 17 Norte, No, Col San Miguel Huyeotlipan,, Puebla, Pue., Mexico
Поступила в редакцию: 11 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

Изучены МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов AlxGa1-xAs и GaxIn1-xP, полученные в области составов x~0.50. Используя методы рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии было показано, что возможно образование сверхструктурных фаз упорядочения со стехиометрией A1-etaB1+etaC2. Следствием этого является не только изменение кристаллической симметрии нового соединения с кубической на тетрагональную, но и изменение оптических свойств по отношению к неупорядоченному твердому раствору аналогичного состава.
  1. J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 56, 1400 (1986)
  2. G.P. Srivastava, J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31, 2561 (1985)
  3. S.-H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B, 41, 8240 (1990)
  4. R.G. Dandrea, J.E. Bernard, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. Lett. 64, 36 (1990)
  5. A. Zunger. MRS-IRS bulletin / July 1997. http://www.sst.nrel.gov/images/mrs97
  6. S. Laref, S. Mec-abih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Physica B, 396 169 (2007)
  7. Su-Huai Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 39 (5), 700 (1989)
  8. S.P. Ahrenkiel, K.M. Jones, R.J. Matson, M.M. Al-Jassim, Y. Zhang, A. Mascarenhas, D.J. Friedman, D.J. Arent, J.M. Olson, M.C. Hanna. Mater. Res. Soc. (Fall Meeting Boston, Massachusetts. Nov. 29--Dec. 3, 1999)
  9. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, А.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surface and Interface Analysis, 8 (4), 828 (2006)
  10. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, Вал. Е. Руднева, В.Е. Руднева, Н.Н. Гордиенко, А.В. Глотов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (9), 1261 (2009)
  11. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 1
  12. Su-Huai Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14 337 (1994)
  13. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Yong Zhang et al. Appl. Phys. Lett., 67, 2347 (1995)
  14. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer. Phys. Status Solidi B, 193 (1), 213 (1996)
  15. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.