Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование поперечного акустоэлектрического эффекта для исследования заряжения поверхности кремния при адсорбции воды
Громашевский В.Л.1, Татьяненко Н.П.1, Снопок Б.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 9 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Адсорбция воды на поверхности кремния в слоистой структуре Si-LiNbO3 с воздушным зазором изучена с помощью поперечного акустоэлектрического эффекта на поверхностных акустических волнах. Обобщенный анализ данных измерений поперечного акустоэлектрического эффекта позволил устанавливать начальный изгиб зон поверхности Si, его изменения в процессе газовых циклов и соответственно знак и кинетику заряжения Si при адсорбции H2O. В зависимости от свойств дефектов на поверхности полупроводника наблюдался как донорный, так и акцепторный характер взаимодействия H2O с Si. На образцах с термическим окислом имело место взаимодействие донорного типа, а на образцах с реальным окислом - оба типа взаимодействия. На основе принятой физической модели заряжения окисла под действием адсорбата предложен комплексный методический подход, позволяющий целенаправленно разрабатывать акустоэлектронные структуры для сенсорных применений.
- J.F. Alder, J.J. McCallum. Analist, 108, 1169 (1983)
- Ю.В. Бурлаченко, Б.А. Снопок. Журн. аналит. химии, 63, 610 (2008)
- H. Wohltjen, R.E. Dessy. Anal. Chem., 51, 1458 (1979)
- H. Wohltjen. Sensors Actuators, 5, 307 (1984)
- Ю.В. Гуляев, А.М. Кмита, А.В. Медведь, В.П. Плесский, Н.Н. Шибанова, В.Н. Федорец. ФТТ, 17 (12), 3505 (1975)
- В.С. Бондаренко, В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич, Е.Г. Миселюк, Б.В. Соболев, А.Ф. Шаров. ФТТ, 22 (5), 1566 (1980)
- N.P. Tatyanenko, V.L. Gromashevskii, B.A. Snopok. Sens. Lett., 8 (4), 554 (2010)
- B.A. Snopok, I.V. Kruglenko. Thin Sol. Films, 418, 21 (2002)
- B.A. Snopok, I.V. Kruglenko. Sensors Actuators B: Chem., 106, 101 (2005)
- H. Gilboa, P.K. Das. Surf. Sci., 62 (2), 536 (1977)
- H. Estrada-Vazques, R.T. Webster, P. Das. J. Appl. Phys., 50 (7), 4942 (1979)
- P. Das, M.K. Roy, R.T. Webster, K. Varahramyan. Proc. IEEE Ultrasonic's Symp. (New Orlean, USA, 1979) p. 278
- Т.Я. Горбач, В.Л. Громашевский, Н.В. Котова, А.Г. Кундзич, С.В. Свечников, Н.П. Татьяненко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 27, 98 (1994)
- А.П. Горбань, В.Л. Громашевский, О.П. Иваницкий, А.Г. Кундзич, Н.П. Татьяненко. Микроэлектроника, 17 (1), 59 (1988)
- В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич, Н.П. Татьяненко. Докл. 3-й конф. Акустоэлектроника --- 87" (Варна, Болгария, 1987) т. 1, с. 326
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1988) гл. 5, с. 173
- В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич. УФЖ, 29 (4), 561 (1984)
- В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич, Н.П. Татьяненко, В.В. Яцик. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 20, 40 (1991)
- В.Ф. Киселев. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1970) с. 306
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
