Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование поперечного акустоэлектрического эффекта для исследования заряжения поверхности кремния при адсорбции воды
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 9 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Адсорбция воды на поверхности кремния в слоистой структуре Si-LiNbO3 с воздушным зазором изучена с помощью поперечного акустоэлектрического эффекта на поверхностных акустических волнах. Обобщенный анализ данных измерений поперечного акустоэлектрического эффекта позволил устанавливать начальный изгиб зон поверхности Si, его изменения в процессе газовых циклов и соответственно знак и кинетику заряжения Si при адсорбции H2O. В зависимости от свойств дефектов на поверхности полупроводника наблюдался как донорный, так и акцепторный характер взаимодействия H2O с Si. На образцах с термическим окислом имело место взаимодействие донорного типа, а на образцах с реальным окислом - оба типа взаимодействия. На основе принятой физической модели заряжения окисла под действием адсорбата предложен комплексный методический подход, позволяющий целенаправленно разрабатывать акустоэлектронные структуры для сенсорных применений.
- J.F. Alder, J.J. McCallum. Analist, 108, 1169 (1983)
- Ю.В. Бурлаченко, Б.А. Снопок. Журн. аналит. химии, 63, 610 (2008)
- H. Wohltjen, R.E. Dessy. Anal. Chem., 51, 1458 (1979)
- H. Wohltjen. Sensors Actuators, 5, 307 (1984)
- Ю.В. Гуляев, А.М. Кмита, А.В. Медведь, В.П. Плесский, Н.Н. Шибанова, В.Н. Федорец. ФТТ, 17 (12), 3505 (1975)
- В.С. Бондаренко, В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич, Е.Г. Миселюк, Б.В. Соболев, А.Ф. Шаров. ФТТ, 22 (5), 1566 (1980)
- N.P. Tatyanenko, V.L. Gromashevskii, B.A. Snopok. Sens. Lett., 8 (4), 554 (2010)
- B.A. Snopok, I.V. Kruglenko. Thin Sol. Films, 418, 21 (2002)
- B.A. Snopok, I.V. Kruglenko. Sensors Actuators B: Chem., 106, 101 (2005)
- H. Gilboa, P.K. Das. Surf. Sci., 62 (2), 536 (1977)
- H. Estrada-Vazques, R.T. Webster, P. Das. J. Appl. Phys., 50 (7), 4942 (1979)
- P. Das, M.K. Roy, R.T. Webster, K. Varahramyan. Proc. IEEE Ultrasonic's Symp. (New Orlean, USA, 1979) p. 278
- Т.Я. Горбач, В.Л. Громашевский, Н.В. Котова, А.Г. Кундзич, С.В. Свечников, Н.П. Татьяненко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 27, 98 (1994)
- А.П. Горбань, В.Л. Громашевский, О.П. Иваницкий, А.Г. Кундзич, Н.П. Татьяненко. Микроэлектроника, 17 (1), 59 (1988)
- В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич, Н.П. Татьяненко. Докл. 3-й конф. Акустоэлектроника --- 87" (Варна, Болгария, 1987) т. 1, с. 326
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1988) гл. 5, с. 173
- В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич. УФЖ, 29 (4), 561 (1984)
- В.Л. Громашевский, А.Г. Кундзич, Н.П. Татьяненко, В.В. Яцик. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 20, 40 (1991)
- В.Ф. Киселев. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1970) с. 306
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
