Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннельные полевые транзисторы на основе графена

Свинцов Д.А.¹, Вьюрков В.В.¹, Лукичёв В.Ф.¹, Орликовский А.А.¹, Буренков А.², Охснер Р.²

¹Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт интегральных схем общества Фраунгофера, Эрланген, Германия

Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Отсутствие закрытого состояния в транзисторах на основе графена является основным препятствием на пути к их использованию в цифровых схемах. Недавно было сообщено о создании туннельного транзистора на графене с низким током закрытого состояния; однако управление проводимостью канала с помощью затвора в данном приборе было неэффективным. Мы предлагаем новую конструкцию туннельного транзистора на графене, в которой ток экспоненциально зависит от напряжения на затворе, а подпороговая крутизна приближается к термоэмиссионному пределу. Особенностью транзистора является наличие полупроводникового (или диэлектрического) туннельного зазора в канале. Характеристики транзистора наследуют низкий ток закрытого состояния, свойственный полупроводниковым каналам, и высокий ток открытого состояния, свойственный графену.

A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
E. McCann, V.I. Fal'ko. Phys. Rev. Lett., 96, 086 805 (2006)
L. Britnell et al. Science, 335, 947 (2012)
N. Kharche, S.K. Nayak. Nano Lett., 11, 5274 (2011)
K. Kim et al. Nature, 479, 7373 (2011)
M. Shur. Physics of semiconductor devices (Pentice-Hall, Englewood Clifs, NJ, 1990)
R. Geick, C.H. Perry, G. Rupprecht. Phys. Rev., 146, 543 (1966)
E.O. Kane. J. Appl. Phys., 32, 83 (1961)
L.V. Keldysh. Sov. Phys. JETP, 6, 33 (1958)
A. Schenk. Sol. St. Electron., 36, 1 (1993)
L.F. Mao, J.L. Wei, Ch.H. Tan, M. Zh. Xu. Sol. St. Commun., 114, 383 (2000)
J. Shannon, K. Nieuwestee. Appl. Phys. Lett., 62, 1815 (1993)
S. Xiong, T. King, J. Bokor. IEEE Trans. Electron. Dev., 52, 8 (2005)
R.A. Vega. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 7 (2006)
Q. Zhang, T. Fang, H. Xing, A. Seabaugh, D. Jena. IEEE Electron. Dev. lett., 54, 10 (2008)
A.C. Seabaugh, Q. Zhang. Proc. IEEE, 98, 12 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель