"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках
Редькин А.Н.1, Рыжова М.В.1, Якимов Е.Е.1, Грузинцев А.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Обобщены результаты экспериментальных исследований по газофазному выращиванию из элементов упорядоченных массивов наностержней оксида цинка на кремниевых подложках. Представлена модель "самокаталитического" роста наностержней ZnO по механизму пар-жидкость-кристалл, в которой роль катализатора направленного роста выполняют капли жидкого цинка. Разработанный метод позволяет осаждать упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках различной ориентации без предварительного нанесения металла-катализатора или тонкого зародышевого слоя ZnO. Рассмотрено влияние различных факторов на скорость роста, размеры, форму и упорядоченное расположение наностержней ZnO. Полученные наностержни оксида цинка представляют собой высокочистые монокристаллы с малым содержанием точечных дефектов, пригодные для практического применения в оптоэлектронике, сенсорной и микросистемной технике.
  1. A.B. Djurisic, A.M.C. Ng, X.Y. Chen. Progr. Quant. Electron., 34, 191 (2010)
  2. O. Lupan, V.V. Ursaki, G. Chai, L. Chow, G.A. Emelchenko, I.M. Tiginyanu, A.N. Gruzintsev, A.N. Redkin. Sensors Actuators B: Chem., 144 (1), 56 (2010)
  3. L. Li, T. Zhai, Y. Bando, D. Golberg. Nano Energy, 1, 91 (2012)
  4. H. Ham, G. Shen, J.H. Cho, T.J. Lee, S.H. Seo, Ch.J. Lee. Chem. Phys. Lett., 404, 69 (2005)
  5. J.I. Sohn, S.S. Choi, S.M. Morris, J.S. Bendall, H.J. Coles, W.-K. Hong, G. Jo, T. Lee, M.E. Welland. Nano Lett., 10, 4316 (2010)
  6. G. Zhu, R. Yang, S. Wang, Z.L. Wang. Nano Lett., 10 (8), 3151 (2010)
  7. M. Sun, Q.-F. Zhang, H. Sun, J. Zhang, J.-L. Wu. J. Vac. Sci. Technol. B, 27 (2), 618 (2009)
  8. P.-C. Chang, Z. Fan, C.-J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, J.G. Lu. Appl. Phys. Lett., 89 (13), 133 113 (2006)
  9. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  10. P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, H.-J. Choi. Adv. Funct. Mater., 12 (5), 323 (2002)
  11. X.D. Wang, C.J. Summers, Z.L. Wang. Nano Lett., 4 (3), 423 (2004)
  12. L. Wang, X. Zhang, S. Zhao, G. Zhou, Y. Zhou, J. Qi. Appl. Phys. Lett., 86 (2), 024 108 (2005)
  13. B.H. Kong, H.K. Cho. Cryst. Growth, 289, 370 (2006)
  14. А.Н. Редькин, А.Н. Грузинцев, З.И. Маковей, С.В. Дубонос, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 43 (3), 301 (2007)
  15. А.Н. Редькин, З.И. Маковей, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов, О.В. Кононенко, А.А. Фирсов. Неорг. матер., 45 (11), 1330 (2009)
  16. Q. Zhao, H.Z. Zhang, Y.W. Zhu, S.Q. Feng, X.C. Sun, J. Xu, D.P. Yu. Appl. Phys. Lett., 86, 203 115 (2005)
  17. M. Wei, D. Zhi, J.L. MacManus-Driscoll. Nanotechnology, 16, 1364 (2005)
  18. M. Zha, D. Calestani, A. Zappettini, R. Mosca, M. Mazzera, L. Lazzarini, L. Zanotti. Nanotechnology, 19, 325 603 (2008)
  19. G. Visimberga, E.E. Yakimov, A.N. Redkin, A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, S. Romanov, G.A. Emelchenko. Phys. Status Solidi С, 7 (6), 1668 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.