"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия
Астров Ю.А.1, Lynch S.A.2, Шуман В.Б.1, Порцель Л.М.1, Махова А.А.1, Лодыгин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2School of Physics and Astronomy, Cardiff University, United Kingdom
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Изучался эффект высокотемпературного прогрева (при 1340oC) образцов легированного серой кремния с последующей закалкой. Результат такой обработки исследовался с помощью измерений эффекта Холла в температурной области T=78-500 K. Обнаружено, что длительность прогрева существенно влияет на соотношение концентраций глубоких донорных центров серы разного типа. При относительно малых временах прогрева, t=2-10 мин, наблюдается значительное уменьшение концентрации квазимолекулярных центров S2, а также комплексов SX, тогда как плотность одноатомных центров S1 растет. В то же время прогрев образцов сопровождается монотонным снижением во времени полной концентрации электрически активной серы. Проведенные исследования позволяют дать рекомендации относительно оптимальных условий получения образцов с высокой концентрацией S1 центров. Спектры поглощения образцов показывают перспективы метода для задач наблюдения ряда квантово-оптических эффектов с участием глубоких доноров S1 в кремнии.
  1. E.E. Orlova, R.Ch. Zhukavin, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B, 210, 859 (1998)
  2. H.-W. Hubers, K. Auen, S.G. Pavlov, E.E. Orlova, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 74, 2655 (1999)
  3. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, U. Bottger, R.Kh. Zhukavin, V.V. Tsyplenkov, K.A. Kovalevsky, V.N. Shastin. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 15, 925 (2009)
  4. P.T. Greenland, S.A. Lynch, A.F.G. van der Meer, B.N. Murdin, C.R. Pidgeon, B. Redlich, N.Q. Vinh, G. Aeppli. Nature, 465, 1057 (2010)
  5. S. Simmons, R.M. Brown, H. Riemann, N.V. Abrosimov, P. Becker, H.-J. Pohl, M.L.W. Thewalt, K.M. Itoh, J.J.L. Morton. Nature, 470, 69 (2011)
  6. E. Janzen, R. Stedmann, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29 1907 (1984)
  7. M. Steger, A. Yang, M.L.W. Thewalt, M. Cardona, H. Riemann, N.V. Abrosimov, M.F. Churbanov, A.V. Gusev, A.D. Bulanov, I.D. Kovalev, A.K. Kaliteevskii, O.N. Godisov, P. Becker, H.-J. Pohl, E.E. Haller, J.W. Ager, III. Phys. Rev. B, 80, 115 204 (2009)
  8. S.D. Brotherton, M.J. King, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
  9. P. Wagner, C. Holm, E. Sirt, R. Oeder, W. Zulehner. Chalcogens as point defects in silicon [Advances in Sol. State Phys.], ed. by P. Grosse (Friedr. Vieweg \& Sohn, Braunschweig) v. 3, 191 (1984)
  10. N. Sclar. J. Appl. Phys., 52, 5207 (1981)
  11. Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
  12. G.W. Ludwig. Phys. Rev. A, 137, 1520 (1965)
  13. H. Overhof, M. Scheffer, C.M. Weinert. Phys. Rev. B, 43, 12 494 (1991)
  14. W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: Diffusion in crystal solids (Academic Press, N.Y., 1984) p. 63
  15. P. Fahey, R.W. Dutton, S.M. Hu. Appl. Phys. Lett., 44, 777 (1984)
  16. Ю.А. Астров, В.А. Козлов, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель, В.Б. Шуман, E.L. Gurevich, R. Hergenroder. ФТП, 43, 739 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.