"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость нанокристаллического ZnO(Ga)
Воробьева Н.А.1, Румянцева М.Н.1, Форш П.А.2, Гаськов А.М.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Методом соосаждения из водных растворов с последующим отжигом при 250oC были синтезированы нанокристаллические порошки оксида цинка с разным содержанием галлия --- ZnO(Ga). Зависимость проводимости образцов от содержания галлия является немонотонной. Исследованы температурные зависимости проводимости. Введение небольшого количества галлия (0.33-0.50 ат%) приводит к уменьшению величины энергии активации и высоты "эффективного" потенциального барьера между нанокристаллами по сравнению с оксидом цинка, затем происходит их увеличение с ростом содержания галлия. Полученные данные объяснены на основе модели неоднородного полупроводника с крупномасштабными флуктуациями потенциала.
  1. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dov gan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  2. A.F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 61, 15 019 (2000)
  3. C.G. Van de Walle. Physica B, 308- 310, 899 (2001)
  4. K. Ellmer. In: Handbook of transparent conductors, ed. by D.S. Ginley, H. Hosono, D.C. Paine (N.Y., Springer, 2010) p. 19
  5. B.M. Ataev, A.M. Bagamadova, A.M. Djabrailov, V.V. Mamedov, R.A. Rabadanov. Thin Sol. Films, 260, 19 (1995)
  6. J.B. Baxter, C.A. Schmuttenmaer. J. Phys. Chem. B, 110, 25 229 (2006)
  7. M. Miodownik, E.A. Holm, G.N. Hassold. Scripta Mater., 42, 1173 (2000)
  8. M.C. Carotta, A. Cervi, V. di Natale, S. Gherardi, A. Giberti, V. Guidi, D. Puzzovio, B. Vendemiati, G. Martinelli, M. Sacerdoti, D. Calestani, A. Zappettini, M. Zhac, L. Zanotti. Sensors Actuators B, 137, 164 (2009)
  9. M. Caglar, S. Ilican, Y. Caglar, F. Yakuphanoglu. Appl. Surf. Sci., 255, 4491 (2009)
  10. P.P. Sahay, R.K. Nath. Sensors Actuators B, 134, 654 (2008)
  11. M. Nakagawa, H. Mitsudo. Surf. Sci., 175, 157 (1986)
  12. A. Sawalha, M. Abu-Abdeen, A. Sedky. Physica B, 404, 1316 (2009)
  13. S. Ilican, M. Caglar, Y. Caglar. Appl. Surf. Sci., 256, 7204 (2010)
  14. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  16. E.G. Villora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, T. Ujiie, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, 202 120 (2008)
  17. Z. Yan, H. Takei, H. Kawazoe. J. Am. Ceram. Soc., 81 (1), 180 (1998)
  18. P.K. Clifford, D.T. Tuma. Sensors Actuators B, 3, 255 (1982/83)
  19. V. Lantto, P. Romppainen, S. Leppavuori. Sensors Actuators B, 14, 149 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.