"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О модели формирования поликристаллического гетероперехода n-ZnO/p-CuO
Адилов Ш.Р.1, Кумеков М.Е.2, Кумеков С.Е.1, Теруков Е.И.3
1Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
2Таразский государственный университет им. М.-Х. Дулати, Тараз, Казахстан
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Рассматривается модель формирования гетероперехода на базе поликристаллических пленок оксидов цинка и меди. На основе анализа кристаллической структуры оксидов цинка и меди выявлены грани элементарных ячеек, между которыми выполняются эпитаксиальные соотношения. Показано также, что наряду с выполнением правила эпитаксиальных соотношений близость значений ионных радиусов двухзарядных ионов Cu++ и Zn++ дает возможность реализации поликристаллического гетероперехода в системе ZnO/CuO.
  1. Y. Nakamura, H. Yoshioka, M. Miyayama, H. Yanagida. J. Electrochem. Soc., 137, 940 (1990)
  2. О.Л. Лисицкий, М.Е. Кумеков, С.Е. Кумеков, Е.И. Теруков. ФТП, 43, 794 (2009)
  3. Б.М. Верменичев, О.Л. Лисицкий, М.Е. Кумеков, С.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, С.Ж. Токмолдин. ФТП, 41, 298 (2007)
  4. F. Ozyurtku s, T. Serin, N. Serin. J. Optoelectron. and Adv. Mater., 11, 1855 (2009)
  5. Jung Sungmook, Jeon Seongho, Yong Kijung. Nanotechnology, 22, 015606, 1 (2011)
  6. Ж.И. Алфёров. Физика, БЭС (М., БРЭ, 1998) с. 114
  7. Л.С. Палатник, И.И. Папиров. Эпитаксиальные пленки (М., Наука, 1971)
  8. Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) с. 415
  9. Г. Харбеке. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения (М., Мир, 1989) с. 82
  10. Таблицы физических величин. Справочник (М., Атомиздат, 1976) с. 302

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.