"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства мезопористого кремния, пассивированного железом
Биленко Д.И.1, Галушка В.В.1, Жаркова Э.А.1, Мысенко И.Б.1, Терин Д.В.1, Хасина Е.И.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики структур на основе мезопористого кремния, полученного методом неэлектролитического травления при пассивации железом (SiMP:Fe). Показано, что в гетероструктурах Al-SiMP:Fe-p-Si-Al проводимость и барьеры зависят от концентрации Fe неоднозначно. Пассивация железом изменяет не только величину проводимости слоя SiMP:Fe, но и характер переноса носителей на низких частотах. При концентрации железа ~ 1 ат% преимущественным становится туннельный перенос сквозь барьеры по сравнению с "прыжковым" по оборванным связям. Пассивация железом слоя SiMP стабилизирует электрофизические свойства, что подтвердилось значениями концентрации ловушек, оцененными по ВАХ, при длительном хранении структур. Это, вероятно, связано с процессами взаимодействия ионов железа с поверхностью кремния с образованием окислов.
  1. J. Verbeck, O.I. Lebedev, G. Van Jendeloo, L. Cagnon, C. Bougeral. J. Electrochem. Soc., 150 (10), 468 (2003)
  2. Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, И.Н. Шабанова, Н.С. Теребова. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., N 2, 11 (2012)
  3. Q.W. Chen, X. Li, Y. Zhang. Chem. Phys. Lett., 343, 507 (2001)
  4. M. Rahmani, A. Moadhen, M.A. Zaibi, H. Elhouichet, M. Oueslati. J. Luminesc., 128, 1763 (2008)
  5. О.Ю. Шевченко, Д.И. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 44, 669 (2010)
  6. M. Rahmani, A. Moadhen, M.A. Zaibi, A. Lusson, H. Elhouichet, M. Oueslati. J. Alloys Comp., 485, 422 (2009)
  7. D.I. Bilenko, E.A. Jarkova, I.B. Mysenko, D.V. Terin, E.I. Hasina. Mater. Proc. 8th Inter.Conf. PSST-2012
  8. K. Peng, Y. Wu, H. Fung, X. Zhong, Y. Xu, J. Zhu. Angew. Chem. Intl. Edn., 44, 2737 (2005)
  9. Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 45, 984 (2011)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, c. 453
  11. Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 33, 327 (1999)
  12. J.A. Balagurov, D.G. Yarkin, E.A. Petrova. Mater. Sci. Engin. B, 69-70, 127 (2000)
  13. Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 41, 945 (2007)
  14. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, c. 368

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.