Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки

Грузинцев А.Н.¹, Редькин А.Н.¹, Opoku C.², Шкунов М.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

²Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, UK

Поступила в редакцию: 30 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Посвящена изготовлению и электрическим параметрам полевых транзисторов (FETs) с коротким каналом (2 мкм) на основе наностержней ZnO. Для изготовления полевых транзисторов использовались наностержни ZnO, полученные методом CVD-синтеза без катализатора. Хотя полевые транзисторы из коротких монокристаллических наностержней ZnO имеют хорошие электрические параметры: крутизну 100 нС, подвижность носителей 6 см²/(B·с) и большой коэффициент запирания 10⁴, их характеристики зависят от длины наностержней. Исследовано влияние величины напряжения сток-исток на значение порогового напряжения отсечки на затворе.

M.H. Huang, F. Henning, Y. Haoquan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Science, 292, 1897 (2001)
P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris. Adv. Funct. Mater., 12, 323 (2002)
G.C. Yi, C. Wang, W.I. Park. Semicond. Sci. Technol., 25, S22 (2005)
H.Bae, S. Im. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1191 (2004)
D.C. Look, D.C. Reynolds, J.R. Sizelove, R.L. Jones, C.W. Litton, G. Cantwell, W.C. Harsch. Sol. St. Commun., 105, 399 (1998)
А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков. ФТП, 45, 1476 (2011)
Z. Fan, D. Wang, P.-C. Chang, W.-Y. Tseng, J.G. Lu. Appl. Phys. Lett., 85, 5923 (2004)
O. Lupana, V.V. Ursakic, G. Chaia, L. Chowa, G.A. Emelchenko, I.M. Tiginyanu, A.N. Gruzintsev, A.N. Redkin. Sensors Actuators B, 144, 56 (2010)
J. Goldberger, D.J. Sirbuli, M. Low, P. Yang. J. Phys. Chem. B, 109, 9 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель