Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs

Галиев Г.Б.¹, Пушкарев С.С.^1,2, Васильевский И.С.², Жигалина О.М.³, Климов Е.А.¹, Жигалина В.Г.³, Имамов Р.М.³

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In_0.70Al_0.30As/In_0.76Ga_0.24As/In_0.70Al_0.30As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур - один с линейным увеличением x в метаморфном буфере In_xAl_1-xAs, а второй - с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур.

D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Trans. Electron. Dev., 57 (7), 1501 (2010)
S.-J. Yu, W.-C. Hsu, Y.-J. Chen, C.-L. Wu. Sol. St. Electron., 50 291 (2006)
W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca, P.S. Lyman, A. Torabi, P.F. Marsh, R.A. McTaggart, S.M. Lardizabal, K. Hetzler. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1131 (1999)
W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi, C.S. Whelan, P.F. Marsh, R.E. Leoni, S.M. Lardizabal, Y. Zhang, J.H. Jang, I. Adesida, C. Xu, K.C. Hsieh. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
K.S. Joo, S.H. Chun, J.Y. Lim, J.D. Song, J.Y. Chang. Physica E, 40, 2874 (2008)
M.-S. Son, B.-H. Lee, M.-R. Kim, S.-D. Kim, J.-K. Rhee. J. Korean Phys. Soc., 44 (2), 408 (2004)
C.-S. Lee, C.-H. Liao. J. Appl. Phys., 102, 114 502 (2007)
S. Suomalainen, A. Vainionpaa, O. Tengvall, T. Hakulinen, S. Karirinne. Appl. Phys. Lett., 87, 121 106 (2005)
O. Yastrubchak, T. Wosinski, T. Figielski, E. Lusakowska, B. Peez, A.L. Toth. Physica E, 17, 561 (2001)
S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, V. Hoel, S. Lepilliet, D. Theron, A. Cappy. Sol. St. Electron., 44, 1021 (2000)
F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
S. Mendach, C.M. Hu, Ch. Heyn, S. Schnull, H.P. Oepen, R. Anton, W. Hansen. Physica E, 13, 1204 (2002)
S.G. Tavakoli, O. Hulko, D.A. Tompson. J. Appl. Phys., 103, 103 527 (2008)
Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-M. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. Dipersio, D. Vignaut, J.-L. Cordon. J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003)
Yvon Cordier, Sylvain Bollaert, Mohammed Zaknoune, Jean Dipersio, Denise Ferre. Jpn. J. Appl. Phys., 38, pt 1, N 2B, 1164 (1999)
И.А. Случинская. Основы материаловедения и технологии полупроводников (М., 2002) с. 113, 244
M. Gutierrez, D. Gonzalez, G. Aragon, M. Hopkinson, R. Garcia. Mater. Sci. Engin. B, 80, 27 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель