Вышедшие номера
Зависимость дифференциальной емкости p+-n-перехода от напряжения
Шеховцов Н.А.1
1Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

Получены зависимости дифференциальной емкости и тока p+-n-перехода с однородным легированием n-области от напряжения на области перехода. Емкость p+-n-перехода определяет изменение заряда в области перехода с учетом изменения электрического поля квазинейтральной n-области и изменения биполярной дрейфовой подвижности в ней при увеличении концентрации неравновесных носителей заряда. Показано, что изменение знака емкости p+-n-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности при увеличении концентрации пар электрон-дырка в n-области. Показано, что с ростом обратного напряжения емкость p+-n-перехода уменьшается и стремится к постоянному положительному значению.
  1. G. Kohn, W. Nannenmacher. Arch. Electr. Ubertrag., 8 (12), 561 (1954)
  2. W. Guggenbuhl. Arch. Electr. Ubertrag., 10 (11), 483 (1956)
  3. С.П. Синица. РЭ, 7 (8), 1427 (1962)
  4. З.А. Искандер-заде, Э.А. Джафарова. Физика p-n-переходов (Рига, Зинатне, 1966) с. 103
  5. А.М. Агаев, Г.В. Захваткин, М.И. Иглицын, А.Я. Первова, Ф.И. Фистуль. Физика p-n-переходов (Рига, Зинатне, 1966) с. 7
  6. Н.А. Шеховцов. Функцион. материалы, 4 (2), 194 (1997)
  7. Н.А. Шеховцов. Радиофизика и электроника (Сб. тр. ИРЭ НАНУ, Харьков), 5 (1), 142 (2000)
  8. W. Shockley. Bell. Syst. Techn. J., 28 (3), 435 (1949)
  9. Лю Цзиньчжи, Ф.А. Линдолм. ТИИЭР, 76 (11), 6 (1988)
  10. С.Т. Са. ТИРИ, 49 (3), 650 (1961)
  11. Н.А. Шеховцов. Вестн. Харьк. нац. ун-та им. В.Н. Каразина. Радиофизика и электроника (Харьков, 2008) N 806, с. 48
  12. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во, физ.-мат. лит. 1963)
  13. T. Misava. J. Phys. Soc. Jpn., 11 (7), 728 (1956)
  14. N.H. Flether. J. Electron., 2 (6), 609 (1957)
  15. K.M. Vliet. J. Sol. St. Electron., 9 (3), 185 (1966)
  16. J.R. Hayser. J. Sol. St. Electron., 14 (2), 133 (1971)
  17. M. Guckel, A. Demirkol, D.C. Thomas. J. Sol. St. Electron., 25 (2), 105 (1982)
  18. Н.М. Дударов. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, вып. 1, 24 (1971)
  19. Н.М. Дударов. В сб.: Вопросы электросвязи (Рига, Зинатне, 1972) вып. 6, с. 77
  20. И.Н. Горбатый. РЭ, 33 (10), 2147 (1988)
  21. Н.А. Шеховцов. ФТП, 46 (1), 60 (2012)
  22. В.А. Киреев. Краткий курс физической химии (М., Химия, 1969) с. 219.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.