Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A
Валишева Н.А.1, Кручинин В.Н.1, Терещенко О.Е.1,2, Кожухов А.С.1, Левцова Т.А.1, Рыхлицкий С.В.1, Щеглов Д.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Методами атомно-силовой микроскопии и спектральной эллипсометрии изучено влияние состава электролита на морфологию поверхности и дисперсионные зависимости показателя преломления и коэффициента поглощения анодных слоев толщиной ~20 нм на InAs(111)A. Показано, что окисление в электролитах различной кислотности не изменяет морфологию поверхности исходных подложек InAs. Образующиеся пленки имеют близкие дисперсионные зависимости, несмотря на различие их химического состава, что позволяет контролировать толщину анодных слоев на подложках InAs с высокой точностью методом эллипсометрии с использованием оптической модели однослойной изотропной пленки на поглощающей продложке.
- Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, В.М. Базовкин. В сб.: Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, под ред. С.П. Синицы (Новосибирск, Наука, 2001) с. 10
- Н.А. Валишева, Н.А. Корнюшкин, Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев. ФТП, 30 (5), 914 (1996)
- Н.А. Валишева, Т.А. Левцова, Л.М. Логвинский. Поверхность, N 11, 53 (1999)
- N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.V. Kovchavcev. Appl. Surf. Sci., 256, 5722 (2010)
- Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров. ФТП, 46 (4), 569 (2012)
- В.А. Антонов, В.И. Пшеницын. Опт. и спектр., 56 (1), 146 (1984)
- Л.С. Брагинский, И.А. Гилинский, С.Н. Свиташева. ДАН, 293 (5), 1097 (1987)
- С.В. Рыхлицкий, Е.В. Спесивцев, В.А. Швец, В.Ю. Прокопьев. ПТЭ, 2, 160 (2007)
- D. Stroud. Phys. Rev. B, 12 (8), 3368 (1975)
- S. Adachi. Optical Constants of Crystalline, Amorphous Semiconductors: Numerical data and Graphical Information (Boston--Dordrecht--London, Kluwer Academic Publishers, 1999)
- K.N. Rao, S. Kashyap. Surf. Rev. Lett., 13 (2), 221 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
