Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 4 » Статья стр. 538
<<<>>>
Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe : Bi
Колосов С.А.1, Кривобок В.С.1, Клевков Ю.В.1, Адиятуллин А.Ф.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
PDF версия
Кристаллы CdTe двух типов: легированные Bi с содержанием ~1018 см-3 и кристаллы двойного легирования с концентрацией Bi ~1018 см-3 и Cl с концентрацией ~1017 см-3 были выращены вертикальным методом Бриджмена. На полученных кристаллах были исследованы температурная зависимость удельного сопротивления, фотопроводимость и низкотемпературная фотолюминесценция. Исследования показали, что легирование Bi (кристаллы первого типа) приводит к компенсации материала. Удельное сопротивление образцов CdTe : Bi при комнатной температуре в зависимости от уровня легирования варьируется в интервале 105-109 Ом·см. В слабо легированных образцах CdTe : Bi концентрация дырок определяется акцептором Ev+0.4 эВ, а в сильно легированных образцах CdTe : Bi - глубоким центром Ev+0.72 эВ. Двойное же легирование приводит к инверсии типа проводимости и понижению удельного сопротивления до ~1 Ом·см. В сильно легированных кристаллах CdTe : Bi и в кристаллах двойного легирования обнаружен акцептор с нетипичной для CdTe энергией ионизации 36 мэВ
  1. T.I. Chu, S.S. Chu, C.G. Ferekides. Cryst. Growth, 117, 1073 (1992)
  2. C.M. Ruiz, O. Vigil, E. Saucedo, G. Contreras-Puente, V. Bermudez. J. Phys.: Condens. Mater, 18, 7163 (2006)
  3. E. Saucedo, L. Fornaro, N.V. Sochinskii, A. Cuna, V. Corregidor, D. Granados, E. Dieguez. IEEE Trans. Nucl. Sci., 51, 3105 (2004)
  4. E. Saucedo, O. Martinez, C.M. Ruiz, O. Vigil-Galan, I. Benito, L. Fornaro, N.V. Sochinskii, E. Dieguez. J. Cryst. Growth, 291, 416 (2006)
  5. M.-H. Du. Phys. Rev. B, 78, 172 105 (2008)
  6. L. Kuchar, J. Drapala, J. Lunacek. J. Cryst. Growth, 161, 94 (1996)
  7. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964) с. 140
  8. J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41 (17), 12 035 (1990)
  9. E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnea. Phys. Rev. B, 30 (6), 3344 (1984)
  10. W. Ossau, T.A. Kuhn, R.N. Bicknell-Tassius. J. Cryst. Growth, 101, 135 (1990)
  11. B. Monemar, E. Molva. Phys. Rev. B, 32 (10), 6554 (1985)
  12. S.H. Song, J. Wang, Y. Ishikawa, S. Seto, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 237--239, 1726 (2002)
  13. V. Bagaev, V. Krivobok, Yu. Klevkov, A. Shepel, E. Onishchenko, V. Martovitsky. Phys. Status Solidi C, 7 (6), 1470 (2010)
  14. В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТП, 42 (5), 536 (2008)
  15. W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Mushik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B, 51 (16), 10 619 (1995)
  16. В.С. Багаев, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, М.Л. Скориков, А.А. Шепель. ЖЭТФ, 140 (5), 929 (2011)
  17. E. Saucedo, J. Franc, H. Elhadidy, P. Horodysky, C.M. Ruiz, V. Bermudez, N.V. Sochinskii. J. Appl. Phys., 103, 094 901 (2008)
  18. P. Fochuk, Yu. Obedzynska, N. Armani, Z. Zakharuk, I. Yuriychuk, O. Kopach, O. Panchuk. Phys. Status Solidi C, 6, 1217 (2009)
  19. J. France, M. Fiederle, V. Babentsov, A. Fauler, K.W. Benz. J. Electron. Mater., 32, 772 (2003)
  20. В.С. Вавилов, А.А. Гиппиус, Ж.Р. Паносян. В сб.: Теллурид кадмия (М., Наука, 1968) с. 103
  21. C.B. Davis, D.D. Allred, A. Reyes-Mena, J. Gonzalez-Harnandez, O. Gonzalez, B.C. Hess, W.P. Allred. Phys. Rev. B, 47 (20), 13 363 (1993)
  22. В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ, 53 (8), 37 (2011)
  23. R.E. Dietz, D.G. Thomas, J.J. Hopfileld. Phys. Rev. Lett., 8, (10), 391 (1962)
  24. M.J. Seong, I. Miotkowski, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 58 (12), 7734 (1998)
  25. Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, С.Н. Николаев. ФТП, 42 (11), 1291 (2008)
  26. Z. Sobiesierski, I.M. Dharmadasa, R.H. Williams. Appl. Phys. Lett., 53 (26), 2623 (1988)
  27. P. Fernandez. JOAM, 5 (2), 369 (2003)
  28. V. Consonni, G. Feuillet, S. Renet. J. Appl. Phys., 99, 053 502 (2006)
  29. V. Consonni, N. Baier, S. Renet, A. Brambilla, G. Feuillet. Phys. Status Solidi C, 3 (4), 807 (2006)
  30. E. Saucedo, C.M. Ruiz, V. Bermudez, E. Dieguez, E. Gombia, A. Zappettini, A. Baraldi, N.V. Sochinskii. J. Appl. Phys., 100, 104 901 (2006)
  31. E. Saucedo, J. Frank, E. Elhadidy, P. Horodysky, C.M. Ruiz, V. Bermudez, N.V. Sochinskii. J. Appl. Phys., 103, 094 901 (2008)
  32. Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 66, 155 211 (2002)
  33. B. Biglari, M. Samimi, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth., A283, 243 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme