Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p-Si

Солован М.Н.¹, Брус В.В.², Марьянчук П.Д.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine

²Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 18 октября 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Фоточувствительные гетероструктуры n-TiN/p-Si изготовлены напылением тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на полированные поликристаллические пластины кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления гетероперехода n-TiN/p-Si. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V_oc=0.4 B и ток короткого замыкания I_sc=1.36 мА/см² при освещении с плотностью мощности 80 мВт/см².

Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
T. Soga. Nanostructured Materials for Solar Energy Convertion (Amsterdam, Elsevier, 2006)
V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 024 (2012)
M.Y. Al-Jaroudi, H.T.G. Hentzel, S.E. Hornstrom, A. Bengston. Thin Sol. Films, 190, 265 (1990)
S. Kadelec, J. Musil, J. Vyskocil. Surf. Coat. Technol., 54--55, 287 (1992)
G. Gagnon, J.F. Currie, C. Beique, J.L. Brebner, S.G. Gujrathi, L. Onllet. J. Appl. Phys., 75, 1565 (1994)
U. Beck, G. Reiners, I. Urban, K. Witt. Thin Sol. Films, 220, 234 (1992)
R.C. Glass, L.M. Spellman, S. Tanaka, R.F. Davis. J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 1625 (1992)
T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya. Solar Energy, 85, 1580 (2011)
C.B. Greenberg. J. Electrochem. Soc., 140, 3332 (1993)
F. Yakuphanoglu, M. Caglar, Y. Caglar, S. Ilican. J. Alloys Comp., 506, 188 (2010)
K.Z. Yahiya, A.H. Jareeze, A.M. Al-Baldawi. Eng. \& Tech., 26, 257 (2008)
А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., 1983)]
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
Г.В. Самсонов. Нитриды (Киев, Наук. думка, 1969) с. 133
Г.П. Лучинский. Химия титана (М., Химия, 1971) с. 168
Г.В. Самсонов, И.М. Виницкий. Тугоплавкие соединения (М., Металлургия, 1976)
К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N.Y., 1981)]
В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 46, 1175 (2012)
V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Statis Solidi C, 5, 3622 (2008)
М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорг. матер., 48, 1154 (2012)
В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)
V.P. Makhniy, S.V. Khusnutdinov, V.V. Gorley. Acta Phys. Polonica A, 116, 859 (2009)
V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
V.V. Brus. Solar Energy, 86, 786 (2012)
V.V. Brus. Solar Energy, 86, 1600 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель