"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
Калыгина В.М.1, Зарубин А.Н.1, Новиков В.А.1, Петрова Ю.С.1, Толбанов О.П.1, Тяжев А.В.1, Цупий С.Ю.1, Яскевич Т.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Изучены вольт-амперные, вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур металл- GaxOy-GaAs-металл. Пленки оксида галлия толщиной 150-170 нм получали термическим напылением порошка Ga2O3 на подложки электронного GaAs с концентрацией доноров Nd=2·1016 см-3. После обработки пленок GaxOy в кислородной плазме снижаются прямые и обратные токи; C-U и G-U зависимости сдвигаются в область более высоких положительных напряжений. Уровень Ферми на границе раздела диэлектрик-полупроводник исследованных структур откреплен. Показано, что на границе GaxOy-GaAs плотность состояний Nt=(2-6)·1012 эВ-1см-2.
  1. R. Droopad, M. Passlack, N. England, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, A. Kummel. Microelectron Engin., 80, 138 (2005)
  2. C.T. Lee, H.W. Chen, H.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 82, 4304 (2003)
  3. H. Hasegava, M. Akazavz, A. Domanowska, B. Adamowicz. Appl. Surf. Sci., 256, 5698 (2010)
  4. D. Fu, T.W. Kang. Jpn. J. Appl. Phys., 41, L1437 (2002)
  5. M. Passlack, R. Droopad, G. Brammertz. IEEE Trans. ED, 57, 2944 (2010)
  6. G.W. Paterson, J.A. Wilson, D. Moran, R. Hill, A.R. Long, I. Thayne, M. Passlack, R. Droopad. Mater. Sci. Engin. B, 135, 277 (2006)
  7. S.A. Lee, J.Y. Hwang, J.P. Kim, C.R. Cho, W.J. Lee, S.Y. Jeong. J. Korean Phys. Soc., 47, S292 (2005)
  8. K. Tang, W. Huang, T.P. Chow. J. Electron. Mater., 38, 523 (2009)
  9. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, Т.Н. Ушакова. ФТП, 46, 798 (2012)
  10. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
  11. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46, 278 (2012)
  12. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НТЛ, 2000) гл. 9, с. 286, 326
  13. H.-L. Ma, D-W. Fan. Chin. Phys. Lett., 26 (11), 117 302 (2009)
  14. В.М. Калыгина, К.И. Валиев, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46, 1027 (2012)
  15. В.И. Гаман, В.М. Калыгина, Н.Н. Иванова. Изв. вузов. Физика, 46 (4), 3 (2003)
  16. V.V. Afanesev, A. Stesmans, M. Passlack, N. Medendrop. Appl. Phys. Lett., 85, 597 (2004)
  17. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, С.Ю. Цупий, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. Изв. вузов. Физика, 55 (9), 9 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.