Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS

Батырев А.С.¹, Бисенгалиев Р.А.¹, Новиков Б.В.²

¹Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
²Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В спектрах низкотемпературной (77 K) фотопроводимости кристаллов CdS 2-й группы, подвергнутых воздействию внешнего обогащающего поперечного электрического поля, обнаружен эффект, обусловленный рассеянием электронов на поверхности полупроводника.

K. Colbow, A. Jmaeff, K. Yuen. Can. J. Phys., 48 (1), 57 (1970)
А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, С.Р. Григорьев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Вестн. СПбГУ, 1 (4), 125 (1996)
А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. ФТТ, 40 (5), 941 (1998)
А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.В. Жукова, Б.В. Новиков, Э.И. Читыров. ФТТ, 45 (11), 1961 (2003)
А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, И.В. Кормильцев, Б.В. Новиков. Сб.: Актуальные проблемы современной физики и математики (Элиста, Изд-во Калм. ун-та, 2010) с. 59
J.G. Gay. Phys. Rev. B, 4 (8), 2567 (1971); Phys. Rev. B, 6, 4884 (1972)
J.A. Bragagnolo, C. Wright, K.W. Boer. Phys. Status Solidi A, 24, 147 (1974)
А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков. Тр. ХII межд. конф. Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 2010) с. 74
Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ, 1 (3), 357 (1959)
В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
С. Мориссон. Химическая физика поверхности твердого тела (М., Мир, 1980)
Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
J.R. Schrieffer. Phys. Rev., 97 (3), 641 (1955)
В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
З.И. Кирьяшкина, А.Г. Роках, Н.Б. Кац и др. Фотопроводящие пленки ( типа CdS) (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1979)
J. Voigt, E. Ost. Phys. Status Solidi, 33, 381 (1969)
J.A. Bragagnolo, K.W. Boer. Phys. Status Solidi A, 21, 291 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель