Вышедшие номера
Резонансное неупругое рассеяние света и фотолюминесценция в изолированных квантовых точках nc-Si/SiO2
Байрамов Ф.Б.1,2, Топоров В.В.1, Полоскин Е.Д.1, Байрамов Б.Х.1, Roder C.3, Sprung C.3, Bohmhammel K.3, Seidel J.3, Irmer G.3, Lashkul A.4, Lahderanta E.4, Song Y.W.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institutre of Theoretical Physics, University of Mining and Technology, Freiberg, Germany
4Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
5Korea Polytechnic University,, Jyndwang-dong, Siheungcity, Gyeonggi-do, 429-793, Korea
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Сообщается об обнаружении при комнатной температуре спектров резонансного неупругого рассеяния света пространственно ограниченными оптическими фононами, а также экситонной фотолюминесценции, обусловленной эффектами размерного квантования для образцов, состоящих из ансамбля изолированных квантовых точек (КТ) nc-Si/SiO2. Показано, что исследовавшиеся образцы являются сверхчистыми КТ nc-Si/SiO2 высокого кристаллического совершенства без присутствия аморфной фазы alpha-Si и вредных химических реагентов. Путем сравнения полученных экспериментальных данных с феноменологической теорией в модели сильного пространственного ограничения оптических фононов выявлена необходимость учета более корректной формы весовой функция для локализованных оптических фононов. Показано, что одновременная регистрация спектров неупругого рассеяния света локализованными фононами и экситонной люминесценции электронно-дырочными парами в КТ nc-Si/SiO2 дает возможность самосогласованным образом при комнатной температуре определять наиболее достоверные значения диаметра КТ nc-Si/SiO2.