Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 8 » Статья стр. 1109
<<<>>>
Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 -2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2-5 ГГц
Андреев И.А.1, Серебренникова О.Ю.1, Соколовский Г.С.1, Дюделев В.В.1, Ильинская Н.Д.1, Коновалов Г.Г.1, Kуницына Е.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
PDF версия
Впервые созданы быстродействующие p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.2- 2.4 мкм на основе гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с разделенными чувствительной (диаметр 50 мкм) и контактной мезами, соединенными мостиковым фронтальным контактом. Использование оригинальной конструкции контактной мезы с диэлектрическим подслоем Si3N4 толщиной 0.3 мкм под металлическим контактом позволило снизить как собственную емкость фотодиода, так и значения обратных темновых токов. Фотодиоды имеют низкую собственную емкость: 3-5 пФ при нулевом смещении и 0.8-1.5 пФ при обратном смещении - 3.0 В. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0.1-0.9, составляет величину 50-100 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 2-5 ГГц. Фотодиоды характеризуются низкой величиной обратных темновых токов, Id=200-1500 нА при обратном смещении U=-(0.5-3.0) В, высокими значениями токовой монохроматической чувствительности, Ri=1.10-1.15 A/Вт, и обнаружительной способности, D*(lambdamax,1000,1)= 0.9· 1011 Вт-1·см·Гц1/2, на длинах волн 2.0-2.2 мкм.
  1. M.T. Kelemen, J. Gilly, R. Moritz, J. Schleife, M. Fatscher, M. Kaufmann, S. Ahlert, J. Biesenbach. Proc. SPIE, 7686, 20 (2010)
  2. Н.Г. Захаров, О.Л. Антипов, В.В. Шарков, А.П. Савикин. Квант. электрон., 40 (2), 98 (2010)
  3. Hamamatsu Photonics (Japan): www.hamamatsu.com
  4. K. Kincade. Laser Focus World, 12, 69 (2003)
  5. И.А. Андреев, Н.Д. Ильинская, Е.В. Куницына, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 974 (2003)
  6. Tiemin Zhang, Guoqing Miao, Yixin Jin, Shuzhen Yu, Hong Jiang, Zhiming Li, Hang Song. Mater. Sci. Semicond. Process, 12 (4-5), 156 (2009)
  7. ООО "АИБИ" ("IBSG Co Ltd"): http://www.ibsg.ru
  8. И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, Е.В. Куницына, В.В. Дюделев, И.М. Гаджиев, А.Г. Дерягин, Е.А. Гребенщикова, Г.Г. Коновалов, М.П. Михайлова, Н.Д. Ильинская, В.И. Кучинский, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 36 (9), 43 (2010)
  9. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 36 (8), 917 (2002)
  10. Xian-Jie Li, Dao-Min Cai, Qing-Ming Zeng, Shi-Yong Liu, Chun-Guanng Liang. Chin. Phys. Lett., 20 (2), 311 (2003)
  11. A. Notargiacomo, R. Bagni, E. Giovine, V. Foglietti, S. Carta, M. Pea, L. Di Gaspare, G. Capellini, F. Evangelisti. Microelectronic Engin., 88 (8), 2714 (2011)
  12. R.C. Jones. In: Advances in Electronics (N. Y., Academic, 1953) v. 5, p. 1
  13. И.А. Андреев, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, Е.В. Куницына, В.В. Дюделев, Ю.П. Яковлев. Патент на изобретение N 2469438. Приоритет от 16 июня 2011
  14. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31 (6), 653 (1997)
  15. А.Е. Губенко, Г.Б. Венус, И.М. Гаджиев, Н.Д. Ильинская, Е.Л. Портной. Письма ЖТФ, 25 (13), 15 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme