Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y/GaSb

Кузнецов Г.Ф.¹

¹Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Поступила в редакцию: 3 сентября 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Отсутствие дефектов кристаллической решeтки и, в особенности, отсутствие дислокаций в активном слое в сложных многослойных гетероэпитаксиальных системах является главным условием для эффективной и надeжной работы оптоэлектронных микроприборов. Минимальные упругие напряжения в многослойных гетероэпитаксиальных системах и их отсутствие в активном слое при той повышенной температуре, которая возникает в эффективно работающем электронном приборе, является вторым необходимым условием для периода его долговременной работы.

G.A. Rozgonyi, P.M. Petroff, M.B. Panish. J. Cryst. Growth, 27, 106 (1974)
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. / Кристаллография, 22 (2), 431 (1977)
Ж.И. Алфeров, Д.З. Гарбузов, Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, М.Г. Мильвидский. Вестник АН СССР, N 4, 31 (1978)
Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. (Киев, Наук. думка, 1983), с. 304
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структура дефектов в эпитаксииальных слоях полупроводников. (М., Металлургия, 1985) с. 205
Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
Г.Ф. Кузнецов, Б.Н. Миронов, В.Я. Филипченко, А.А. Хазанов. Деп. в ВНИИГИ РАН (М., 1987) N 5, 340-В87,
Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. (М. ИРЭ АН СССР, 1989)
Г.Ф. Кузнецов. Препринт ИРЭ АН СССР (М., 1986) N 2 (441), с. 31
W.J. Bartels, W.J. Nijman. Crystal Growth, 37, 204 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель