"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменения в волноводной электролюминесцентной структуре на основе ZnS : Cr, вызванные собственным лазерным ближнеинфракрасным излучением
Власенко Н.А.1, Олексенко П.Ф.1, Мухльо М.А.1, Велигура Л.И.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Исследуются причины изменений в тонкопленочной электролюминесцентной волноводной структуре типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл на основе ZnS : Cr с концентрацией Cr ~4·1020 cm-3, которые возникают при лазерной генерации (lambda ~2.6 мкм) и вызывают ее исчезновение. Установлено, что лазерная генерация исчезает из-за появления в структуре светорассеивающих неоднородностей и, следовательно, оптических потерь. Природа неоднородностей и причины их возникновения выясняются путем исследования методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дефектоскопии топологии поверхности и кристаллической структуры слоев образца до и после возникновения генерации. Показано, что сильное увеличение размеров зерен на поверхности структуры является проявлением изменений, происходящих в пленке ZnS : Cr в результате рекристаллизации, вызванной локальным разогревом из-за поглощения лазерного излучения имеющимися кластерами Cr и ускоренной сильным электрическим полем (более 1 МВ/см). Выявлены следующие изменения в пленке ZnS : Cr: текстурированный рост кристаллитов ZnS, увеличение доли кластеров Cr, появление небольшого количества CrS и большего --- ZnO. Даются рекомендации относительно улучшения стабильности лазерной генерации в волноводных ZnS : Cr-структурах.
  1. Y.O. Ono. Electroluminescent Display (World Scientific, Singapore, 1995)
  2. T. Sorokina. Optical Mater., 26, 395 (2004)
  3. S. Mirov, V. Fedorov, I. Moskalev, D. Martishkin, Ch. Kim, Laser \& Photon. Rev., 4, 21 (2010)
  4. N.A. Vlasenko, Z.L. Denisova, Ya.F. Kononets, L.I. Veligura, Yu.A. Tsyrkunov. J. SID, 12, 179 (2004)
  5. N.A. Vlasenko, P.F. Oleksenko, M.A. Mukhlyo, L.I. Veligura, Z.L. Denisova. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 12, 362 (2009)
  6. N.A. Vlasenko, P.F. Oleksenko, M.O. Mukhlyo, P.M. Lytvyn, L.I. Veligura, Z.L. Denisova. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 14, 339 (2011)
  7. Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.А. Мухльо, П.М. Литвин, Л.И. Велигура, З.Л. Денисова. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 46, 36 (2011)
  8. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, В.Е. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  9. С.А. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.Н. Семиногов. УФН, 147 (N 4), 675 (1985)
  10. Э.Е. Виолин, О.Н. Воронько, Ф. Нейберг, Е.Н. Потапов, ФТП, 5, 954 (1984)
  11. P. Townsend, J. Olivares. Appl. Surf. Sci., 110, 275 (1997)
  12. E. Cappelli, S. Orando, G. Mattei, M. Montozzi, F. Pinzari, D. Sciti. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Processing, A 69, 515 (1999)
  13. Z. Tian, I.A. Salama, N.R. Quick, A. Kar. Acta Mater., 53, 2835 (2005)
  14. A. Medvid', B. Bersina, L. Trinrler, L. Fedorenko, P. Lytvyn, N. Yusupov, T. Yamaguchi, L. Sirghi, M. Aoyama. Phys. Status. Solidi. A, 195, 199 (2003)
  15. L. Museur, D. Anglos, J.- P. Petitet, J.- P. Michel, A.V. Kanaev, J. Luminesc., 127, 595 (2007)
  16. A. Medvid', A. Mychko, O. Strilchuk, N. Litovchenko, Yu. Naseka, P. Onufrijevs, A. Plutons. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 607, 110 (2009)
  17. A. Solov'eva, V. Zhdanov. Inorg. Mater. 21, 828 (1985)
  18. S. Wang, S.B. Mirov, V.V. Fedorov, R.P. Camata. Solid State Lasers XIII: Technology and Devices, ed. by Richard Scheps, Hanna J. Hoffman. Proc. SPIE, 5332, 13 (2004)
  19. J. Haglund, F. Fermandez-Guillermet, G. Grimvall, M. Korling. Phys. Rev. B: Condens. Matter, 48, 11 685 (1993)
  20. N. Vaidya. J. Indian, Pure Appl. Phys., 14, 600 (1976)
  21. L. Weber. Kristallogr., Kristallogeom., Kristallphys., Kristallchem., 58, 398 (1923)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.