"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование вольт-амперных характеристик наноструктурированных пленок Pd на Si-подложке после вакуумного отжига
Томилин С.В.1, Яновский А.С.1, Томилина О.А.1, Микаелян Г.Р.1
1Запорожский национальный университет (кафедра физики полупроводников), Запорожье, Украина
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик наноструктурированных пленок Pd на Si-подложке. Формирование наноструктур (наноостровки) производилось методом вакуумного отжига сплошных сверхтонких пленок Pd напыленных на подложку. Показано, что форма вольт-амперных характеристик исследуемой системы "Si-подложка-Pd-пленка" существенно зависит от степени наноструктурированности пленки. Исследование поверхностной морфологии пленок производилось с использованием растровой электронной микроскопии.
  1. K.T. Ho, C.-D. Lien, M.-A. Nicolet. J. Appl. Phys. 57 (2), 232 (1985)
  2. Risa Suryana, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima. Jpn J. Appl. Phys., 50, 05EA09-1 (2011)
  3. Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, 4, 55 (2005)
  4. S.V. Tomilin, A.S. Yanovsky. J. Nano- and Electronic Phys., 4 (1), 01 013 (2012)
  5. В.Б. Лобода, С.Н. Хурсенко. ЖЭТФ, 5 (11), 911 (2006)
  6. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987) 1.5, с. 32
  7. Л. Майссел, Р. Глэнг. Технология тонких пленок (справочник) (М., Сов. радио, 1977) т. 1, с. 664
  8. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976) гл. 10, с. 276

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.