Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Вычислительный центр им. А.А. Дородницына Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН, Москва, Россия
2Вычислительный центр им. А.А. Дородницына Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
Представлены результаты теоретического исследования на основе расчетов из первых принципов поляризационных свойств полупроводников AlN, GaN и AlGaN со структурой вюрцита. Для данных нитридных соединений рассчитаны значения спонтанной, пьезоэлектрической поляризаций и пьезоэлектрических констант. В целях дальнейшего рассмотрения перспективных гетероструктур на основе соединений (Al,Ga,AlGa)N были оценены значения зарядовых плотностей на интерфейсах AlN/GaN, AlGaN/AlN, AlGaN/GaN и концентрация носителей на гетерогранице AlGaN/GaN, приведено сравнение с экспериментальными данными.
- O. Ambacher. J. Phys. D, 31, 2653 (1988)
- F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56, R10 024 (1997)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57, R9427 (1998)
- A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 64, 045 208 (2001)
- V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli. Phys. Rev. B, 60, 8849 (1999)
- A. Bykhovski, B.L. Gelmont, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 81, 6332 (1997)
- P.M. Asbeck, E.T. Yu, S.S. Lau, G.J. Sullivan, J. Van Hove, J.M. Redwing. Electron. Lett., 33, 1230 (1997)
- E.T. Yu, G.J. Sullivan, P.M. Asbeck, C.D. Wang, D. Qiao, S.S. Lau. Appl. Phys. Lett., 71, 2794 (1997)
- M.B. Nardelli, K. Rapcewicz, J. Bernholc. Appl. Phys. Lett., 71, 3135 (1997)
- T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L177 (1997) pt 2
- W. Zhong, R.D. King-Smith, D. Vanderbilt. Phys. Rev. Lett., 72, 3618 (1994)
- R.D. King-Smith, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 47, 1651 (1993)
- R. Resta. Rev. Mod. Phys., 66, 899 (1994)
- R. Resta. Ferroelectrics, 136, 51 (1992)
- A. Malashevich. Abstract of the dissertation (New Brunswick, New Jersey, The Graduate School-New Brunswick Rutgers, The State University of New Jersey, 2009)
- O. Ambacher. J. Phys. D. Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
- O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W.J. Schaff, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 85, 3222 (1999)
- G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B, 54, 11 169 (1996)
- G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
- H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
- F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 63, 193 201 (2001)
- M. Tanaka, S. Nakahata, K. Sogabe, H. Nakata. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1062 (1997) pt 2
- M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Chen. Appl. Phys. Lett., 69, 73 (1996)
- А. Алексеев, Д. Красовицкий, С. Петров, В. Чалый. Компоненты и технологии, N 2 (2008)
- O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. Condens. Matter, 14 3399 (2002)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 64, 085 207 (2001)
- A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, V. Fiorentini. Phys Rev B, 64, 045 208 (2001)
- K. Tsubouchi, K. Sugai, N. Mikoshiba. IEEE Ultrason. Symp., 90, 375 (1981)
- O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann. J. Appl. Phys., 87, 334 (2000)
- X. Wang, A. Yoshikawa. Progr. Cryst. Growth and Characterization of Mater. 48/49, 42 (2004)
- P.M. Asbeck, E.T. Yu, S.S. Lau, G.J. Sullivan, J. Van Hove. J.M. Redwing. Electron Lett., 33 1230 (1997)
- Z. Bougrioua, J.L. Farvacque, I. Moerman, F. Carosella. Phys. Status Solidi B, 228 (2), 625 (2001)
- Вл.В. Воеводин, С.А. Жуматий, С.И. Соболев, А.С. Антонов, П.А. Брызгалов, Д.А. Никитенко, К.С. Стефанов, Вад.В. Воеводин. Открытые системы, N 7 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
