Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 3 » Статья стр. 138
<<<>>>
Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы
DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55625.4580
Суханов М.А.1, Бакаров А.К.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: msukhanov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 30 марта 2023 г.
Принята к печати: 10 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 23 мая 2023 г.
PDF версия
In situ методом дифракции быстрых электронов исследован процесс удаления оксида с поверхности InSb (001) в вакууме и в потоке сурьмы. Получена зависимость толщины оксида от температуры отжига. Обнаружено, что поток сурьмы замедляет процесс удаления оксида за счет обратной реакции образования оксида. Процесс разложения и удаления оксида в вакууме и в потоке сурьмы описан системой кинетических уравнений, определена энергия разложения оксида сурьмы. Ключевые слова: InSb, оксид, энергия активации, десорбция.
  1. A. Evirgen, J. Abautret, J.P. Perez, A. Cordat, A. Nedelcu, P. Christol. Electron. Lett., 50 (20), 1472 (2014)
  2. М.А. Суханов, А.К. Бакаров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлев. Письма ЖТФ, 46 (4), 3 (2020)
  3. J. Abautret, J.P. Perez, A. Evirgen, F. Martinez, P. Christol, J. Fleury, H. Sik, R. Cluzel, A. Ferron, J. Rothman. J. Appl. Phys., 13 (18), 183716 (2013)
  4. А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, А.П. Ковчавцев, А.И. Торопов, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь, П.В. Власов, А.А. Лопухин. ЖТФ, 87 (6), 900 (2017)
  5. W.K. Liu, W.T. Yuen, R.A. Stradling. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (4), 1539 (1995)
  6. H. Simchi, S. Bahreani, M.H. Saani. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 33 (1), 1 (2006)
  7. R. Tessler, C. Saguy, O. Klin, S. Greenberg, E. Weiss, R. Akhvlediani, R. Edrei, A. Hoffman. Appl. Phys. Lett., 88 (3), 031918 (2006)
  8. Н.А. Виглин, И.В. Грибов, В.М. Цвелиховская, Е.И. Патраков. ФТП, 53 (2), 277 (2019)
  9. E. Weiss, O. Klin, S. Grossman, S. Greenberg, P.C. Klipstein, R. Akhvlediani, R. Tessler, R. Edrei, A. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 25 (4), 736 (2007)
  10. W. Monch. Semiconductor surfaces and interfaces (Springer Science \& Business Media, 2013)
  11. W.K. Liu, M.B. Santos. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (2), 647 (1996)
  12. J.F. Klem, J.Y. Tsao, J.L. Reno, A. Datye, S. Chadda. J. Vac. Sci. Technol. A, 9 (6), 2996 (1991)
  13. J.J. Bomphrey, M.J. Ashwin, T.S. Jones, G.R. Bell. Results Phys., 5, 154 (2015)
  14. P.D. Brewer, D.H. Chow, R.H. Miles. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (3), 2335 (1996)
  15. B.R. Hancock, H. Kroemer. J. Appl. Phys., 55 (12), 4239 (1984)
  16. A. Ichimiya, P. Cohen. Kinematic electron diffraction. In Reflection High-Energy Electron Diffraction (Cambridge, Cambridge University Press, 2004) p. 130. doi: 10.1017/CBO9780511735097.011
  17. C.J.J. Powell.J.Vac. Sci. Technol. A, 38 (2), 023209 (2020)
  18. H. Shinotsuka, S. Tanuma, C.J Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 51 (4), 427 (2019)
  19. S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 43 (3), 689 (2011)
  20. W. Han, P. Huang, L. Li, F. Wang, P. Luo, K. Liu, X. Zhou, H. Li, X. Zhang, Y. Cui, T. Zhai. Nature Commun., 10 (1), 4728 (2019)
  21. Z. Wang, E.G. Seebauer. Appl. Surf. Sci., 181 (1-2), 111 (2001)
  22. J. Tao, A.M. Rappe. Phys. Rev. Lett., 112 (10), 106101 (2014)
  23. J.J. Zinck, E.J. Tarsa, B. Brar, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 82 (12), 6067 (1997)
  24. D. Tsiplakides, S. Neophytides, C.G. Vayenas. Ionics, 3 (3), 201 (1997)
  25. N.D.S. Canning, D. Outka, R.J. Madix. Surf. Sci., 141 (1), 240 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme