Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 35
<<<>>>
Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54928.3692
Сорокина С.В. 1, Солдатенков Ф.Ю. 1, Потапович Н.С. 1, Хвостиков В.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, nspotapovich@mail.ioffe.ru, vlkhv@scell.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2022 г.
Принята к печати: 10 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
PDF версия
Рассмотрены вопросы термической стабильности фронтальных контактов на основе Cr-Au и Cr-Au-Ag-Au к фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb в рабочих (температура на элементе T~50oC) и стандартных для квалификационных испытаний условиях (~80oC), а также при форсированной тепловой деградации (~125 и ~200oC). Показано, что фотоэлектрический преобразователь с серебросодержащим контактом обладает лучшими характеристиками по стабильности контактного сопротивления, фоточувствительности, FF, Voc и, соответственно, по кпд. Определен срок службы преобразователей при рабочих и повышенных температурах. Ключевые слова: контакт, деградация, фотоэлектрический преобразователь, GaSb.
  1. Национальный стандарт РФ "Модули фотоэлектрические из кремния наземные. Методы испытаний", ГОСТ Р 56980-2016 (МЭК 61215:2005) IEC 61215. Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules --- Design qualification and type approval: International Electro technical commission, 2005
  2. Национальный стандарт РФ "Устройства фотоэлектрические с концентраторами. Методы испытаний", ГОСТ Р 56983-2016 (МЭК 62108:2007) IEС 62108. Concentrator photovoltaic (CPV) modules and assembles --- Design qualification and type approval, 2007
  3. A. Vogt, G. Peharz, J. Jaus, A. Bosch, A.W. Bett. Proc. 21st Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Dresden, Germany, 2006) p. 2225
  4. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, Ф.Ю. Cолдатенков, Н.Х. Тимошина. ФТП, 48 (9), 1280 (2014). http://journals.ioffe.ru/articles/40822 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, F.Yu. Soldatenkov, N.Kh. Timoshina. Semiconductors, 48 (9), 1248 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614090115]
  5. Y. Kemmoku, T. Egami, M. Hiramatsu, Y. Miyazaki, K. Araki, N.J. Ekins-Daukes, T. Sakakibara. Proc. 19th EU PVSEC (Paris, France, 2004)
  6. K. Araki, H. Uozumi, M. Yamaguchi. Proc. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (New Orleans, LA, USA, 2002) p. 1568. DOI: 10.1109/PVSC.2002.1190913
  7. J. Jaus, G. Peharz, A. Gombert, J. Rodriguez, F. Dimroth, F. Eltermann, O. Wolf, M. Passig, G. Siefer, A. Hakenjos, S.V. Riesen, A.W. Bett. Proc. 34th IEEE. Photovoltaic Specialists Conf. (Philadelphia, Pennsylvania, USA, 2009) p. 001931
  8. Ya. Ota, H. Nagai, K. Araki, K. Nishioka. Proc. 8th Int. Conf. on Concentrating Photovoltaic Systems ( CPV-8) (Toledo, Spain, 2012)
  9. O.I. Chosta, V.A. Grilikhes, A.A. Soluyanov, M.Z. Shvarts. Proc. 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 519
  10. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, А.В. Малевская, А.С. Власов, М.З. Шварц, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 44 (2), 270 (2010). http://journals.ioffe.ru/articles/7062 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, O.A. Khvostikova, A.V. Malievskaya, A.S. Vlasov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina, V.M. Andreev. Semiconductors, 44 (2), 255 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610020223]
  11. А.С. Власов, В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, В.С. Калиновский, Е.П. Ракова, В.М. Андреев, А.В. Бобыль, Г.Ф. Терещенко. ФТП, 44 (9), 1284 (2010). http://journals.ioffe.ru/articles/7233
  12. Z. Utlu. Int. J. Low-Carbon Technologies, 15 (2), 277 (2020). https://doi.org/10.1093/ijlct/ctz049
  13. B. Tadayon, C.S. Kyono, M. Fatemi, S. Tadayon, J.A. Mittereder. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (1), 1 (1995). DOI: 10.1116/1.587979
  14. J.B. Oliveira, C.A. Olivieri, J.C. Galzerani, A.A. Pasa, F.C. de Prince. J. Appl. Phys., 66 (11), 5484 (1989). DOI: 10.1063/1.343699
  15. A.G. Milnes, M. Ye, M. Stam. Solid State Electron., 37 (1), 37 (1994). DOI: 10.1016/0038-1101(94)90101-5
  16. В.М.Андреев, С.В.Сорокина, Н.Х.Тимошина, В.П.Хвостиков, М.З. Шварц. ФТП, 43 (5), 695 (2009). http://journals.ioffe.ru/articles/6851 [V.M. Andreev, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina, V.P. Khvostikov, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43 (5) 668 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609050236]
  17. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, V.I. Vasil'ev. Proc. 4th NREL Conf. on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Denver, CO, 1998) p. 384. DOI: 10.1063/1.57818
  18. Ф.Ю. Cолдатенков, С.В. Сорокина, Н.Х. Тимошина, В.П. Хвостиков, Ю.М. Задиранов, М.Г. Растегаева, А.А. Усикова. ФТП, 45 (9), 1266 (2011). http://journals.ioffe.ru/articles/7520 [F.Y. Soldatenkov, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina, V.P. Khvostikov, Y.M. Zadiranov, M.G. Rastegaeva, A.A. Usikova. Semiconductors, 45 (9), 1219 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611090193]
  19. И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев. TKEA, 2, 55 (2004). http://www.tkea.com.ua/tkea/2004/ 2_2004/st_14.htm [I.М. Vikulin, V.I. Irkha, B.V. Korobitsyn, V.E. Gorbachev. TKEA, 2, 55 (2004)]
  20. М.И. Черных, Г.А. Велигура, В.А. Буслов, В.А. Кожевников, А.Н. Цоцорин. Электрон. техн., сер. 2. Полупроводниковые приборы. 3 (234), 35 (2014). https://www.niiet.ru/wp-content/uploads/pub13.pdf

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme