Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55618.3692 
Сорокина С.В.
1, Солдатенков Ф.Ю.
1, Потапович Н.С.
1, Хвостиков В.П.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, nspotapovich@mail.ioffe.ru, vlkhv@scell.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2022 г.
Принята к печати: 10 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
Рассмотрены вопросы термической стабильности фронтальных контактов на основе Cr-Au и Cr-Au-Ag-Au к фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb в рабочих (температура на элементе T~50oC) и стандартных для квалификационных испытаний условиях (~80oC), а также при форсированной тепловой деградации (~125 и ~200oC). Показано, что фотоэлектрический преобразователь с серебросодержащим контактом обладает лучшими характеристиками по стабильности контактного сопротивления, фоточувствительности, FF, Voc и, соответственно, по кпд. Определен срок службы преобразователей при рабочих и повышенных температурах. Ключевые слова: контакт, деградация, фотоэлектрический преобразователь, GaSb.
- Национальный стандарт РФ "Модули фотоэлектрические из кремния наземные. Методы испытаний", ГОСТ Р 56980-2016 (МЭК 61215:2005) IEC 61215. Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules --- Design qualification and type approval: International Electro technical commission, 2005
- Национальный стандарт РФ "Устройства фотоэлектрические с концентраторами. Методы испытаний", ГОСТ Р 56983-2016 (МЭК 62108:2007) IEС 62108. Concentrator photovoltaic (CPV) modules and assembles --- Design qualification and type approval, 2007
- A. Vogt, G. Peharz, J. Jaus, A. Bosch, A.W. Bett. Proc. 21st Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Dresden, Germany, 2006) p. 2225
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, Ф.Ю. Cолдатенков, Н.Х. Тимошина. ФТП, 48 (9), 1280 (2014). http://journals.ioffe.ru/articles/40822 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, F.Yu. Soldatenkov, N.Kh. Timoshina. Semiconductors, 48 (9), 1248 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614090115]
- Y. Kemmoku, T. Egami, M. Hiramatsu, Y. Miyazaki, K. Araki, N.J. Ekins-Daukes, T. Sakakibara. Proc. 19th EU PVSEC (Paris, France, 2004)
- K. Araki, H. Uozumi, M. Yamaguchi. Proc. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (New Orleans, LA, USA, 2002) p. 1568. DOI: 10.1109/PVSC.2002.1190913
- J. Jaus, G. Peharz, A. Gombert, J. Rodriguez, F. Dimroth, F. Eltermann, O. Wolf, M. Passig, G. Siefer, A. Hakenjos, S.V. Riesen, A.W. Bett. Proc. 34th IEEE. Photovoltaic Specialists Conf. (Philadelphia, Pennsylvania, USA, 2009) p. 001931
- Ya. Ota, H. Nagai, K. Araki, K. Nishioka. Proc. 8th Int. Conf. on Concentrating Photovoltaic Systems ( CPV-8) (Toledo, Spain, 2012)
- O.I. Chosta, V.A. Grilikhes, A.A. Soluyanov, M.Z. Shvarts. Proc. 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 519
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, А.В. Малевская, А.С. Власов, М.З. Шварц, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 44 (2), 270 (2010). http://journals.ioffe.ru/articles/7062 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, O.A. Khvostikova, A.V. Malievskaya, A.S. Vlasov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina, V.M. Andreev. Semiconductors, 44 (2), 255 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610020223]
- А.С. Власов, В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, В.С. Калиновский, Е.П. Ракова, В.М. Андреев, А.В. Бобыль, Г.Ф. Терещенко. ФТП, 44 (9), 1284 (2010). http://journals.ioffe.ru/articles/7233
- Z. Utlu. Int. J. Low-Carbon Technologies, 15 (2), 277 (2020). https://doi.org/10.1093/ijlct/ctz049
- B. Tadayon, C.S. Kyono, M. Fatemi, S. Tadayon, J.A. Mittereder. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (1), 1 (1995). DOI: 10.1116/1.587979
- J.B. Oliveira, C.A. Olivieri, J.C. Galzerani, A.A. Pasa, F.C. de Prince. J. Appl. Phys., 66 (11), 5484 (1989). DOI: 10.1063/1.343699
- A.G. Milnes, M. Ye, M. Stam. Solid State Electron., 37 (1), 37 (1994). DOI: 10.1016/0038-1101(94)90101-5
- В.М.Андреев, С.В.Сорокина, Н.Х.Тимошина, В.П.Хвостиков, М.З. Шварц. ФТП, 43 (5), 695 (2009). http://journals.ioffe.ru/articles/6851 [V.M. Andreev, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina, V.P. Khvostikov, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43 (5) 668 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609050236]
- V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, V.I. Vasil'ev. Proc. 4th NREL Conf. on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Denver, CO, 1998) p. 384. DOI: 10.1063/1.57818
- Ф.Ю. Cолдатенков, С.В. Сорокина, Н.Х. Тимошина, В.П. Хвостиков, Ю.М. Задиранов, М.Г. Растегаева, А.А. Усикова. ФТП, 45 (9), 1266 (2011). http://journals.ioffe.ru/articles/7520 [F.Y. Soldatenkov, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina, V.P. Khvostikov, Y.M. Zadiranov, M.G. Rastegaeva, A.A. Usikova. Semiconductors, 45 (9), 1219 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611090193]
- И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев. TKEA, 2, 55 (2004). http://www.tkea.com.ua/tkea/2004/ 2_2004/st_14.htm [I.М. Vikulin, V.I. Irkha, B.V. Korobitsyn, V.E. Gorbachev. TKEA, 2, 55 (2004)]
- М.И. Черных, Г.А. Велигура, В.А. Буслов, В.А. Кожевников, А.Н. Цоцорин. Электрон. техн., сер. 2. Полупроводниковые приборы. 3 (234), 35 (2014). https://www.niiet.ru/wp-content/uploads/pub13.pdf
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
