Вышедшие номера
О ТГц лазерах на циклотронном резонансе в графене в скрещенных E,H полях при T=300 K и в непрерывном режиме
Андронов А.А. 1, Позднякова В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andron@ipmras.ru, vera@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 31 января 2023 г.
Принята к печати: 31 января 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

В рамках классического рассмотрения электронных траекторий в скрещенных E,H полях и проводимости системы электронов на циклотронном резонансе в однослойном графене обсуждается возможность осуществления ТГц циклотронного лазера в сандвиче нитрид бора - однослойный графен. На основе упрощенного подхода с использованием известных данных о частотах рассеяния электронов в графене продемонстрировано, что циклотронный лазер может функционировать в непрерывном режиме при комнатной температуре на частотах выше 0.5-1 ТГц в магнитном поле >5000-10000 Гс. Кратко рассмотрено влияние квантования уровней Ландау, возможность усиления на гармониках циклотронной частоты и особенности усиления при пониженных температурах. Ключевые слова: графен, циклотронный резонанс, усиление ТГц излучения, инверсия по уровням Ландау.