Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 21
<<<>>>
Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.3554
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55616.3554
Пашковский А.Б.1, Богданов С.А.1, Бакаров А.К.2, Журавлев К.С.2, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1, Карпов С.Н.1, Рогачев И.А.1, Терешкин Е.В.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 сентября 2022 г.
Принята к печати: 26 января 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
PDF версия
Теоретически исследована нелокальная динамика электронов в псевдоморфных AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктурах с двухсторонним донорно-акцепторным легированием AlGaAs-барьеров и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами из AlAs/GaAs короткопериодных сверхрешеток вокруг легированных областей. Для исследованных гетероструктур введение цифровых барьеров значительно, на 30-40%, повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. Обнаружен эффект локализации горячих электронов на состояниях в AlAs/GaAs-сверхрешетках по краям InGaAs-квантовой ямы. Показано, что учет этого эффекта значительно увеличивает всплеск дрейфовой скорости электронов, приближая его к максимальному теоретическому пределу для используемой модели - всплеску дрейфовой скорости в нелегированном объемном материале InGaAs. Ключевые слова: потенциальные барьеры, цифровые барьеры, гетероструктуры, всплеск дрейфовой скорости электронов.
  1. H. Wang, F. Wang, S. Li, T.Y. Huang, A.S. Ahmed, N.S. Mannem, J. Lee, E. Garay, D. Munzer, C. Snyder, S. Lee, H.T. Nguyen, M.E.D. Smith. (Jul. 2019). Power Amplifiers Performance Survey 2000-Present. [Online]. Available: https://gems.ece.gatech.edu/PA_survey.html
  2. B. Romanczyk, S. Wienecke, M. Guidry, H. Li, E. Ahmadi, X. Zheng, S. Keller, U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 45(2018)
  3. N.S. Dasgupta, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (12), 1683 (2011)
  4. Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic. IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015)
  5. B.E. Foutz, S.K. O'Leary, M.S. Shur, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 85 (11), 7727 (1999). DOI: 10.1063/1.370577
  6. С.А. Богданов, А.А. Борисов, С.Н. Карпов, М.В. Кулиев, А.Б. Пашковский, Е.В. Терешкин. Письма ЖТФ, 48 (2), 44 (2022)
  7. И.С. Василевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин. Тез. докл. 8-й Междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. (Мокеровские чтения, 24 мая, Москва) с. 28
  8. Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 46 (4), 500 (2012)
  9. Д.А. Сафонов, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский. Письма ЖТФ, 44 (4), 34 (2018)
  10. K. Inoue, H. Sakaki, J. Yoshino, Y. Yoshioka. Appl. Phys. Lett., 46, 9735 (1985)
  11. K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, R. Klann, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 77, 4616 (1996)
  12. А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский. ФТП, 48 (12), 1660 (2014)
  13. K.S. Zhuravlev, D.Yu. Protasov, D.V. Gulyaev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, A.B. Pashkovski. Adv. Microelectron.: Rev., v. 2 (Barcelona, Spain: IFSA, 251 (2019)
  14. В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов. Письма ЖТФ, 38 (17), 84 (2012)
  15. А.Б. Пашковский, А.С. Богданов, В.М. Лукашин, С.И. Новиков. Микроэлектроника, 49 (3), 210 (2020)
  16. T. Baba, T. Mizutani, M. Ogawa. Jpn. J. Appl Phys., 22, L627e9 (1983)
  17. T. Sajoto, M. Santos, J.J. Heremans, M. Shayegan, M. Heiblum, M.V. Weckwerth, U. Meirav. Appl. Phys. Lett., 54, 840 (1989)
  18. A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K. S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021)
  19. Д.Ю. Протасов, Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Е.В. Ерофеев, К.С. Журавлев. Письма ЖТФ, 44 (6), 77 (2018)
  20. А.А. Борисов, К.С. Журавлев, С.С. Зырин, В.Г. Лапин, В.М .Лукашин, A.A. Маковецкая, В.И. Новоселец, А.Б. Пашковский, А.И. Торопов, Н.Д. Урсуляк, С.В. Щербаков. Письма ЖТФ, 42 (16), 41 (2016)
  21. M. Shur. Electron. Lett., 12 (23), 615 (1976)
  22. А.В. Гарматин. Электрон. техн., сер. 1. Электроника СВЧ, 3 (377), 66 (1985)
  23. D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev. Solid-State Electron., 129, 66 (2017)
  24. A. Cappy, B. Carnez, R. Fauquembergues, G. Salmer, E. Constant. IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2158(1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme