Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 42
<<<>>>
К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAs(Sb)
DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54929.4338
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55619.4338
Министерство науки и высшего образования РФ , Встроенные Электронные Решения для Инновационных Сканирующих Устройств Диагностики Полимеров на Основе Источников Излучения, RF 225121X0001
Закгейм А.Л. 1, Карандашев С.А. 2, Климов А.А. 2, Кунков Р.Э. 2, Лухмырина Т.С. 2, Матвеев Б.А. 2, Ременный М.А. 2, Усикова А.А. 2, Черняков А.Е. 1
1НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zakgeim@mail.ioffe.ru, ksa08@yandex.ru, a.klimov@mail.ioffe.ru, romunkov@yandex.ru, t.lukhmyrina@ioffe.mail.ru, bmat@iropt3.ioffe.ru, Mremennyy@mail.ioffe.ru, usikova@mail.ioffe.ru, chernyakov.anton@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 25 декабря 2022 г.
Принята к печати: 25 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
PDF версия
Рассмотрены три основные причины повышения температуры диодов на основе двойных гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs/n-InAsSbP и p-InAsSbP/n-InAsSb/n-InAs. Вклады джоулева тепла, безызлучательной оже-рекомбинации и электрон-фононного взаимодействия в повышение температуры диодов были оценены для прямого и обратного смещений с помощью анализа пространственного распределения интенсивности собственного излучения в среднем ИК диапазоне и вольт-амперных характеристик одноэлементных светодиодов и флип-чип диодных линеек (1x3). Ключевые слова: ИК светодиод, ИК диодные линейки, джоулев нагрев, оже-рекомбинация, электрон-фононное взаимодействие.
  1. P. Santhanam, D. Huang, R.J. Ram, M.A. Remennyi, B.A. Matveev. Appl. Phys. Lett., 103 (19), 183513 (2013)
  2. Jin Xue, Yuji Zhao, Sang-Ho Oh, W.F. Herrington, J.S. Speck, S.P. DenBaars, Shuji Nakamura, R.J. Ram. Appl. Phys. Lett., 107, 121109 (2015)
  3. L. Zhu, A. Fiorino, D. Thompson., R. Mittapally, E. Meyhofer, P. Reddy. Nature, 566, 239 (2019)
  4. B.K. Tanner, A. Danilewsky, P.J. McNally. J. Appl. Cryst., 55, 1139 (2022)
  5. V. Malyutenko, A. Zinovchuk. Proc. SPIE, 6368, 63680D (2006)
  6. J.V. Lawler, J. Currano. Proc. SPIE, 6942, Art. no. 69420E-1 (2008)
  7. S.A. Karandashev, T.S. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova. Phys. Status Solidi A, 219 (2), 2100456 (2022)
  8. А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. ФТП, 44 (2), 278 (2010)
  9. V.K. Malyutenko. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 744, M4.10.1 (2002)
  10. V.K. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, O.Yu. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 23 (8), 085004 (2008)
  11. А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖЭТФ, 15, 34 (1998)
  12. A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 428 (2001)
  13. C.А. Карандашев, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.А. Усикова. Опт. и спектр, 129 (9), 1193 (2021)
  14. G.A. Sukach, A.B. Bogoslovskaya, P.F. Oleksenko, Yu.Yu. Bilynets, V.N. Kabacij. Infr. Phys. Technol., 41, 299 (2000)
  15. Г.А. Сукач, П.Ф. Олексенко, А.Б. Богославская, Ю.Ю. Билинец, В.Н. Кабаций. ЖТФ, 67 (9), 68 (1997)
  16. С.Г. Конников, Б.А. Матвеев, Т.Б. Попова, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, В.Е. Уманский. ФТТ, 28 (3), 789 (1986)
  17. A. Krier, M. Yin, V. Smirnov, P. Batty, P.J. Carrington, V. Solovev, V. Sherstnev. Phys. Status Solidi A, 205 (1), 129 (2008)
  18. A. Semakova, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev. J. Phys.: Conf. Ser., 1038, 012097 (2018)
  19. A. Krier, E. Repiso, F. Al-Saymari, P.J. Carrington, A.R.J. Marshall, L. Qi, S.E. Krier, K.J. Lulla, M. Steer, C. MacGregor, C.A. Broderick, R. Arkani, E. O'Reilly, M. Sorel, S.I. Molina, M. De La Mata. Mid-infrared light-emitting diodes. In: Mid-infrared Optoelectronics. Materials, Devices, and Application (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Mater., 2020) p. 59
  20. G.P. Forcade, C.E. Valdivia, S. Molesky, S. Lu, A.W. Rodriguez, J.J. Krich, R. St-Gelais, K. Hinzer. Appl. Phys. Lett., 121 (19), 193903 (2022)
  21. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 2570 (2007)
  22. P.N. Brunkov, N.D. Il`inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus`, A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 73, 232 (2015)
  23. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, 2, 97 (2005)
  24. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 40 (6), 717 (2006)
  25. S.A. Karandashev, A.A. Klimov, R.E. Kunkov, A.A. Lavrov, T.S. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova. J. Phys.: Conf. Ser., 410 (1), 012028 (2019)
  26. B.A. Matveev; N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002)
  27. N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 117, 103867 (2021)
  28. А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, А.Е. Черняков. ФТП, 51 (2), 269 (2017)
  29. Simcenter T3STER http://www.micred.com/t3ster/
  30. А.Л. Закгейм. Светодиоды и их применение (М., Светотехника, 2021)
  31. S. Karpov. Optical Quant. Electron., 47, 1293 (2015)
  32. V.K. Malyutenko, A.D. Podoltsev, O.Yu. Malyutenko. Jpn. J. Appl. Phys., 118, 153105 (2015)
  33. ИоффеЛЕД www.ioffeled.com
  34. L. Meriggi, M.J. Steer, Y. Ding, I.G. Thayne, C. Macgregor, C.N. Ironside, M. Sorel. 11th Conf. on Ph. D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 29 June, Glasgow, UK, IEEE, 180 (2015)
  35. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76, 943 (2000)
  36. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. ФТП, 53 (2), 147 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme