Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54930.4475

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55620.4475

Российский научный фонд, 22-12-00003

Лебедев А.А.¹, Козловский В.В.², Левинштейн М.Е.¹, Малевский Д.А.¹, Оганесян Г.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 21 декабря 2022 г.

В окончательной редакции: 16 января 2023 г.

Принята к печати: 16 января 2023 г.

Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Влияние протонного облучения (энергия протонов 15 МэВ) на параметры высоковольтных 4H-SiC интегрированных (JBS) диодов Шоттки впервые исследовано в диапазоне рабочих температур T_i (23 и 175^oС). Блокирующее напряжение исследованных диодов, U_b составляло 600 и 1700 В. Для приборов c U_b=600 В диапазон флюенсов Phi составлял 5·10¹³-1·10¹⁴ см^-2; для приборов c U_b=1700 В величина Phi составила и 3·10¹³-6·10¹³ см^-2. Увеличение температуры облучения приводит к заметному уменьшению влияния облучения на вольт-амперные характеристики диодов. Исследовано влияние отжига на вольт-амперные характеристики облученных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, протонное облучение, отжиг, вольт-амперные характеристики.

S. Nigam, J. Kim, F. Ren, G.Y. Chung, M.F. MacMillan, R. Dwivedi, T.N. Fogarty, R. Wilkins, K.K. Allums, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.R. Williams. Appl. Phys. Lett., 81, 2385 (2002)
Zh. Luo, T. Chen, J.D. Cressler, D.C. Sheridan, J.R. Williams, R.A. Reed, P.W. Marshall. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (6), 1821 (2003)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 123, 024502 (2018)
A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M.E. Levinshtein, A.E. Ivanov, K.S. Davydovskaya. Solid-State Electron., 181--182, 08009 (2021)
L. Zhao, Y. Tang, Yun Bai, M. Qiu, Zh. Wu, Yu Yang, C. Yang, X. Tian, X. Liu. Electronics, 11, 1341 (2022). https://doi.org/10.3390/electronics11091341
https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-0600S002
https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-1700S010
Sh. Ji, Zh. Zhang, Fei Wang. CES Trans. Electric. Machines and Systems, 1, 254 (2017)
L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski, B.A. Shustrov. Phys. Status Solidi A, 117, 85 (1990)
J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon Press, N.Y., 1985)
P. Hazdra, J. Vobecky. Phys. Status Solidi A, 216, 1900312 (2019)
A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, K.S. Davydovskaya, M.E. Levinshtein. Materials, 14, 4976 (2021). https://doi.org/10.3390/ma14174976
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons Inc. N.Y., 2001)
V.V. Emtsev, A.M. Ivanov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, N.B. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6262 (2000)
А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская. ФТП, 56 (4), 441 (2022)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
R. Karsthof, M.E. Bathen, A. Galeckas, L. Vines. Phys. Rev. B, 102, 18411 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.184111

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель