Вышедшие номера
Влияние ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения
Токарев А.С. 1, Лапшина О.А. 1, Козырев А.А. 1,2,3
1ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: arhangel92r@mail.ru, oksana.sh63@mail.ru, equilibriummm@yandex.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2022 г.
Принята к печати: 16 января 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

Сообщается об исследовании влияния ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения. Был проведен анализ измерений предельной мощности и процент лазерных диодов, имеющих визуальные проявления оптической катастрофической деградации в активной области. Обнаружено, что кратковременная (1 мин) низкоэнергетичная обработка ионами аргона и водорода не приводит к изменению параметров лазерных диодов, в то время как обработка ионами азота приводит к снижению предельной мощности и увеличению вероятности появления оптической катастрофической деградации. Также показано, что использование ионного источника на основе электронно-циклотронного резонанса приводит к лучшим результатам, по сравнению с источником холловского типа или радиочастотным источником с индуктивно-связанной плазмой, за счет меньшей энергии ионов. Ключевые слова: ионная очистка, лазерный диод, катастрофическая оптическая деградация, предельная мощность, пассивация, нитридизация.