Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54931.3952

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55621.3952

Токарев А.С.

¹, Лапшина О.А.

¹, Козырев А.А.

^1,2,3

¹ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия LLC «NPP «Inject», Saratov, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Email: arhangel92r@mail.ru, oksana.sh63@mail.ru, equilibriummm@yandex.ru

Поступила в редакцию: 22 июля 2022 г.

В окончательной редакции: 7 декабря 2022 г.

Принята к печати: 16 января 2023 г.

Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается об исследовании влияния ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения. Был проведен анализ измерений предельной мощности и процент лазерных диодов, имеющих визуальные проявления оптической катастрофической деградации в активной области. Обнаружено, что кратковременная (1 мин) низкоэнергетичная обработка ионами аргона и водорода не приводит к изменению параметров лазерных диодов, в то время как обработка ионами азота приводит к снижению предельной мощности и увеличению вероятности появления оптической катастрофической деградации. Также показано, что использование ионного источника на основе электронно-циклотронного резонанса приводит к лучшим результатам, по сравнению с источником холловского типа или радиочастотным источником с индуктивно-связанной плазмой, за счет меньшей энергии ионов. Ключевые слова: ионная очистка, лазерный диод, катастрофическая оптическая деградация, предельная мощность, пассивация, нитридизация.

Y. Liu, K. Ebadi, A.K. Sunnetcioglu, S. Gundogdu, S. Sengul, Y. Zhao, Y. Lan, Y. Zhao, G. Yang, A. Demir. Opt. Express, 30 (18), 31539 (2022)
H. Xu, X. Li, L. Yan. IOP Conf. Series: Earth and Environmental Sci., 772, 012050 (2021)
H.-W. Xu, X.-J. Li, L.-H. Yan, J.-L. Niu, J.-F. Ning, H.-T. Peng, Y. Zhang. IOP Conf. Series: J. Phys.: Conf. Ser., 1176, 042033 (2019)
R.W. Lambert, T. Ayling, A.F. Hendry, J.M. Carson, D.A. Barrow, S. McHendry, C.J. Scott, A. .McKee, W. Meredith. J. Light. Technol., 24 (2), 956 (2006)
C.D. Thurmond, G. Schwartz, G.W. Kammlott, B. Schwartz. J. Electrochem. Soc., 127 (6), 1366 (1980)
F. Capasso, G. Williams. J. Electrochem. Soc., 129 (4), 821 (1982)
L. Tu, E. Schubert, M. Hong, G. Zydzik. J. Appl. Phys., 80 (11), 6448 (1996)
T. Muro, Y. Kato, T. Kinoshita, Y. Watanabe. Rev. Sci. Instrum., 81 (4), 1 (2010)
X. Wang, L. Zhu, Y. Zhao, J. Kong, C. Wang, C. Xiong, X. Ma, S. Liu. Infr. and Laser Eng., 48 (1), 0105002 (2019)
P. Ressel, G. Erbert, U. Zeimer, K. Hausler, G. Beister, B. Sumpf, A. Klehr, G. Trankle. IEEE Photon. Technol. Lett., 17 (5), 962 (2005)
O. Richarda, S. Blaisb, R. Aresa, V. Aimeza, A. Jaouad. Microelectron. Eng., 233, 11139 (2020)
J.E. Boschker, U. Spengler, P. Ressel, M. Schmidbauer, A. Mogilatenko, A. Knigge. IEEE Рhoton. J., 14 (3), 1531606 (2022)
Y. Wang, H. Qu, Y. Wang, F. Dong, Z. Chen, W. Zheng. ACS Omega, 4 (23), 20205 (2019)
C. Silfvenius, Y. Sun, P. Blixt, C. Lindstroem, A. Feitisch. SPIE, 5711, 189 (2005)
S. Xiongwen, X. Chen, T. Zeng-xia, S. Guang-di. Chinese Phys. Lett., 23 (1), 124 (2006)
Y. Lan, G. Yang, Y. Zhao, Y. Liu, A. Demir. Appl. Surf. Sci., 596, 15350 (2022)
J. Hashimoto, N. Ikoma, M. Murata, J. Fukui, T. Nomaguchi, T. Katsuyama. Japanese J. Appl. Phys., 39 (5), 2761 (2000)
Н.А. Волков, К.Ю. Телегин, Н.В. Гультиков, Д.Р. Сабитов, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, А.А. Падалица, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, Л.И. Шестак, А.А. Козырев, В.А. Панарин. Квант. электрон., 52 (2), 1 (2022)
S.S. Anantathanasarn, S. Ootomo, T. Hashizume, H. Hasegawa. Appl. Surf. Sci., 159, 456 (2000)
V. Augelli, T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli, V. Capozzi, G. Perna, M. Ambrico, M. Losurdo. J. Luminesc., 102--103, 519 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель