Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 63
<<<>>>
Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм
DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54932.4184
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55622.4184
Российский научный фонд, 22-19- 00221
Программа фундаментальных исследований Национального исследовательского университета ” Высшая школа экономики“
Бабичев А.В. 1, Комаров С.Д.2, Ткач Ю.С.1, Неведомский В.Н.1, Блохин С.А.1, Крыжановская Н.В.2,3, Гладышев А.Г.4, Карачинский Л.Я.4, Новиков И.И.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 31 января 2023 г.
Принята к печати: 3 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования оптических свойств InGaAs-квантовых точек. Однослойные InGaAs-квантовые точки с высотой 5.3, 3.6 и 2.6 монослоя, а также трехслойные квантовые точки с высотой 2.6 монослоя были сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму Странски-Крастанова на подложках GaAs, с использованием метода частичного прикрытия и высокотемпературного отжига. Уменьшение размеров квантовых точек позволяет осуществить коротковолновый сдвиг положения максимума спектра фотолюминесценции с 1200 до 1090 нм, а увеличение числа слоев квантовых точек позволяет компенсировать падение интенсивности максимума спектра фотолюминесценции. Показано, что данный тип квантовых точек подходит для создания активных областей лазеров с вертикальным микрорезонатором для нейроморфных вычислений. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, арсенид галлия, InGaAs, механизм Странски-Крастанова.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Chichester, England, John Wiley \& Sons Ltd, 1999) p. 344
  2. T. Heuser, J. Grose, S. Holzinger, M.M. Sommer, S. Reitzenstein. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 26 (1), 1 (2020)
  3. T. Heuser, J. Grob e, A. Kaganskiy, D. Brunner, S. Reitzenstein. APL Photonics, 3 (11), 116103 (2018)
  4. I.I. Novikov, A.M. Nadtochiy, A.Yu. Potapov, A.G. Gladyshev, E.S. Kolodeznyi, S.S. Rochas, A.V. Babichev, V.V. Andryushkin, D.V. Denisov, L.Ya. Karachinsky, A.Yu. Egorov. J. Luminesc., 239, 118393 (2021)
  5. S. Reitzenstein, T. Heindel, C. Kistner, A. Rahimi-Iman, C. Schneider, S. Hofling, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 93 (6), 061104 (2008)
  6. A. Rantamaki, G.S. Sokolovskii, S.A. Blokhin, V.V. Dudelev, K.K. Soboleva, M.A. Bobrov, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasil'ev, A.G. Gladyshev, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, O. Okhotnikov. Optics Lett., 40 (14), 3400 (2015)
  7. J. Grob e, P. Mrowinski, N. Srocka, S. Reitzenstein. Appl. Phys. Lett., 119 (6), 061103 (2021)
  8. X. Hu, Y. Zhang, D. Guzun, M.E. Ware, Y.I. Mazur, C. Lienau, G.J. Salamo. Sci. Rep., 10 (1), 10930 (2020)
  9. G. Sek, P. Poloczek, K. Ryczko, J. Misiewicz, A. Loffler, J.P. Reithmaier, A. Forchel. J. Appl. Phys., 100 (10), 103529 (2006)
  10. A. Loffler. "Selbstorganisiertes Wachstum von (Ga)InAs/ GaAs-Quantenpunkten und Entwicklung von Mikroresonatoren hochster Gute fur Experimente zur starken Exziton-Photon-Kopplung", Dissertation (Wurzburg, Germany, 2008) p. 191. https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/frontdoor/ index/index/year/2008/docId/2589 URN: urn:nbn:de:bvb:20-opus-30323
  11. A. Loffler, J.P. Reithmaier, G. Sek, C. Hofmann, S. Reitzenstein, M. Kamp, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 86 (11), 111105 (2005)
  12. P. Poloczek, G. Sek, J. Misiewicz, A. Loffler, J.P. Reithmaier, A. Forchel. J. Appl. Phys., 100 (1), 013503 (2006)
  13. S. Reitzenstein, S. Munch, P. Franeck, A. Rahimi-Iman, A. Loffler, S. Hofling, L. Worschech, A. Forchel. Phys. Rev. Lett., 103 (12), 127401 (2009)
  14. C. Hopfmann, A. Musia, M. Straub, A. M. Barth, M. Glassl, A. Vagov, M. Straub, C. Schneider, S. Hofling, M. Kamp, V.M. Axt, S. Reitzenstein. Phys. Rev. B, 92 (24), 245403 (2015)
  15. A. Loffler, J.-P. Reithmaier, A. Forchel, A. Sauerwald, D. Peskes, T. Kummell, G. Bacher. J. Cryst. Growth, 286 (1), 6 (2006)
  16. N. Ozaki, S. Kanehira, Y. Hayashi, S. Ohkouchi, N. Ikeda, Y. Sugimoto, R.A. Hogg. J. Cryst. Growth, 477 (1), 230 (2017)
  17. K. Watanabe, T. Akiyama, Y. Yokoyama, K. Takemasa, K. Nishi, Y. Tanaka, M. Sugawara, Y. Arakawa. J. Cryst. Growth, 378, 627 (2013).
  18. R.P. Mirin, K.L. Silverman, D.H. Christensen, A. Roshko. J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct., 18 (3), 1510 (2000)
  19. T. Finke, V. Sichkovskyi, J.P. Reithmaier. J. Cryst. Growth, 517, 1 (2019)
  20. S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51 (20), 14766 (1995)
  21. H. Sasakura, S. Kayamori, S. Adachi, S. Muto. J. Appl. Phys., 102 (1), 013515 (2007)
  22. L. Wang, A. Rastelli, O. G. Schmidt. J. Appl. Phys., 100 (6), 064313 (2006)
  23. Z.R. Wasilewski, S. Fafard, J.P. McCaffrey. J. Cryst. Growth, 201-202, 1131 (1999)
  24. J.M. Garci a, T. Mankad, P.O. Holtz, P.J. Wellman, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 72 (24), 3172 (1998)
  25. M.C. Lobl, S. Scholz, I. Sollner, J. Ritzmann, T. Denneulin, A. Kovacs, B.E. Kardyna, A.D. Wieck, A. Ludwig, R.J. Warburton. Commun. Phys., 2 (1), 93 (2019)
  26. J.H. Blokland, M. Bozkurt, J.M. Ulloa, D. Reuter, A.D. Wieck, P.M. Koenraad, P.C.M. Christianen, J.C. Maan. Appl. Phys. Lett., 94 (2), 023107 (2009)
  27. P. Podemski, M. Pieczarka, A. Marynski, J. Misiewicz, A. Loffler, S. Hofling, J.P. Reithmaier, S. Reitzenstein, G. Sek. Superlat. Microstruct., 93, 214 (2016)
  28. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogo, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  29. С.А. Блохин, А.М. Надточий, А.А. Красивичев, Л.Я. Карачинский, А.П. Васильев, В.Н. Неведомский, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 47 (1), 87 (2013)
  30. В.И. Белявский, С.В. Шевцов. ФТП, 36 (7), 874 (2002)
  31. A. Schliwa, M. Winkelnkemper, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 76 (20), 205324 (2007)
  32. M. Grundmann, D. Bimberg. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (pt 1, No. 6B), 4181 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme