Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0791-2023-0004
Санкт-Петербургский государственный университет, Исследовательский грант , 94033852
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 2019-1442
Илькив И.В.1,2, Лендяшова В.В.1,3, Бородин Б.Б.3, Талалаев В.Г.4, Шугабаев Т.1, Резник Р.Р.2, Цырлин Г.Э.1,5,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Martin Luther University Halle-Wittenberg, Halle, Germany
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: fiskerr@ymail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.
Принята к печати: 6 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.
Представлены экспериментальные результаты исследований по формированию InAs-островков на поверхности кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в зависимости от рельефа Si поверхности и наличия наноямок могут формироваться InAs-островки как с бимодальным, так и однородным распределением по размерам. С помощью двухстадийного заращивания кремнием показана возможность создания гетероструктур с внедренными в кремний InAs-квантовыми точками, демонстрирующих фотолюминесценцию в области 1.65 мкм. Ключевые слова: квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, гетероструктуры. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56199.26k
- D. Thomson, A. Zilkie, J. E. Bowers, T. Komljenovic, G.T. Reed, L. Vivien, D. Marris-Morini, E. Cassan, L. Virot, J.M. Fedeli, J.M. Hartmann, J.H. Schmid, D.X. Xu, F. Boeuf, P. O'Brien, G.Z. Mashanovich, M.N. Nedeljkovic. J. Optics, 18 (7), 073003 (2016)
- X. Chen, M. M. Milosevic, S. Stankovic, S. Reynolds, T.D. Bucio, K. Li, D.J. Thomson, F. Gardes, G.T. Reed. Proc. IEEE, 106 (12), 2101 (2018)
- A. Sakanas, E. Semenova, L. Ottaviano, J. M rk, K. Yvind. Microelectron. Eng., 214, 93 (2019)
- C. Jiang, H. Liu, J. Wang, X. Ren, Q. Wang, Z. Liu, B. Ma, K. Liu, R. Ren, Y. Zhang, S. Cai, Y. Huang. Appl. Phys. Lett., 121 (6), 061102 (2022)
- H. Tanoto, S.F. Yoon, K.L. Lew, W.K. Loke, C. Dohrman, E.A. Fitzgerald, L.J. Tang. Appl. Phys. Lett., 95 (14), 141905 (2009)
- W.K. Loke, Y. Wang, Y. Gao, L. Khaw, K.E.K. Lee, C.S. Tan, E.A. Fitzgerald, S.F. Yoon. Mater. Sci. Semicond., 146, 106663 (2022)
- B. Kunert, Y. Mols, M. Baryshniskova, N. Waldron, A. Schulze, R. Langer. Semicond. Sci. Technol., 33 (9), 093002 (2018)
- J.C. Norman, D. Jung, Z. Zhang, Y. Wan, S. Liu, C. Shang, R.W. Herrick, W.W. Chow, A.C. Gossard, J.E. Bowers. IEEE J. Quant. Electron., 55 (2), 1 (2019)
- G.E. Cirlin1, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 13 (11), 1262 (1998)
- M. Benyoucef, M. Usman, J.P. Reithmaier. Appl. Phys. Lett., 102 (13), 132101 (2013)
- R. Heitz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 74 (12), 1701 (1999)
- C. Bru-Chevallier, A. El Akra, D. Pelloux-Gervais, H. Dumont, B. Canut, N. Chauvin, P. Regreny, M. Gendry, G. Patriarche, J.M. Jancu, J. Even, P. Noe, V. Calvo, B. Salem. J. Nanosci. Nanotechnol., 11 (10), 9153 (2011)
- Z. M. Zhao, O. Hul'ko, H.J. Kim, J. Liu, T. Sugahari, B. Shi, Y.H. Xie. J. Cryst. Growth, 271 (3-4), 450 (2004)
- B. Bansal, M.R. Gokhale, A. Bhattacharya, B.M. Arora. J. Appl. Phys., 101 (9), 094303 (2007)
- X.B. Su, Y. Ding, B. Ma, K.L. Zhang, Z.S. Chen, J.L. Li, X.R. Cui, Y.Q. Xu, H.Q. Ni, Z.C. Niu. Nanoscale Res. Lett., 13, 1 (2018)
- E.N. Yitamben, R.E. Butera, B.S. Swartzentruber, R.J. Simonson, S. Misra, M.S. Carroll, E. Bussmann. New J. Phys., 19 (11), 113023 (2017)
- N.A. Fominykh, M.S. Sobolev, I.V. Ilkiv, D.V. Mokhov, T.N. Berezovskaya, A.D. Bouravleuv. J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012006 (2020)
- Y.P. Varshni. Phys. Rev. B, 2 (10), 3952 (1970)
- W.H. Jiang, X.L. Ye, B. Xu, H.Z. Xu, D. Ding, J.B. Liang, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 88 (5), 2539 (2000)
- I. Yeo. J. Dong Song, J. Lee. Appl. Phys. Lett., 99 (15), 151909 (2011)
- R. Heitz, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, A. Hoffmann, D. Bimberg. J. Electron. Mater., 28, 520 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
