Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 5 » Статья стр. 332
<<<>>>
Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе
DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56199.26k
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0791-2023-0004
Санкт-Петербургский государственный университет, Исследовательский грант , 94033852
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 2019-1442
Илькив И.В.1,2, Лендяшова В.В.1,3, Бородин Б.Б.3, Талалаев В.Г.4, Шугабаев Т.1, Резник Р.Р.2, Цырлин Г.Э.1,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Martin Luther University Halle-Wittenberg, Halle, Germany
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: fiskerr@ymail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.
Принята к печати: 6 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.
PDF версия
Представлены экспериментальные результаты исследований по формированию InAs-островков на поверхности кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в зависимости от рельефа Si поверхности и наличия наноямок могут формироваться InAs-островки как с бимодальным, так и однородным распределением по размерам. С помощью двухстадийного заращивания кремнием показана возможность создания гетероструктур с внедренными в кремний InAs-квантовыми точками, демонстрирующих фотолюминесценцию в области 1.65 мкм. Ключевые слова: квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, гетероструктуры.
  1. D. Thomson, A. Zilkie, J. E. Bowers, T. Komljenovic, G.T. Reed, L. Vivien, D. Marris-Morini, E. Cassan, L. Virot, J.M. Fedeli, J.M. Hartmann, J.H. Schmid, D.X. Xu, F. Boeuf, P. O'Brien, G.Z. Mashanovich, M.N. Nedeljkovic. J. Optics, 18 (7), 073003 (2016)
  2. X. Chen, M. M. Milosevic, S. Stankovic, S. Reynolds, T.D. Bucio, K. Li, D.J. Thomson, F. Gardes, G.T. Reed. Proc. IEEE, 106 (12), 2101 (2018)
  3. A. Sakanas, E. Semenova, L. Ottaviano, J. M rk, K. Yvind. Microelectron. Eng., 214, 93 (2019)
  4. C. Jiang, H. Liu, J. Wang, X. Ren, Q. Wang, Z. Liu, B. Ma, K. Liu, R. Ren, Y. Zhang, S. Cai, Y. Huang. Appl. Phys. Lett., 121 (6), 061102 (2022)
  5. H. Tanoto, S.F. Yoon, K.L. Lew, W.K. Loke, C. Dohrman, E.A. Fitzgerald, L.J. Tang. Appl. Phys. Lett., 95 (14), 141905 (2009)
  6. W.K. Loke, Y. Wang, Y. Gao, L. Khaw, K.E.K. Lee, C.S. Tan, E.A. Fitzgerald, S.F. Yoon. Mater. Sci. Semicond., 146, 106663 (2022)
  7. B. Kunert, Y. Mols, M. Baryshniskova, N. Waldron, A. Schulze, R. Langer. Semicond. Sci. Technol., 33 (9), 093002 (2018)
  8. J.C. Norman, D. Jung, Z. Zhang, Y. Wan, S. Liu, C. Shang, R.W. Herrick, W.W. Chow, A.C. Gossard, J.E. Bowers. IEEE J. Quant. Electron., 55 (2), 1 (2019)
  9. G.E. Cirlin1, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 13 (11), 1262 (1998)
  10. M. Benyoucef, M. Usman, J.P. Reithmaier. Appl. Phys. Lett., 102 (13), 132101 (2013)
  11. R. Heitz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Go sele. Appl. Phys. Lett., 74 (12), 1701 (1999)
  12. C. Bru-Chevallier, A. El Akra, D. Pelloux-Gervais, H. Dumont, B. Canut, N. Chauvin, P. Regreny, M. Gendry, G. Patriarche, J.M. Jancu, J. Even, P. Noe, V. Calvo, B. Salem. J. Nanosci. Nanotechnol., 11 (10), 9153 (2011)
  13. Z. M. Zhao, O. Hul'ko, H.J. Kim, J. Liu, T. Sugahari, B. Shi, Y.H. Xie. J. Cryst. Growth, 271 (3-4), 450 (2004)
  14. B. Bansal, M.R. Gokhale, A. Bhattacharya, B.M. Arora. J. Appl. Phys., 101 (9), 094303 (2007)
  15. X.B. Su, Y. Ding, B. Ma, K.L. Zhang, Z.S. Chen, J.L. Li, X.R. Cui, Y.Q. Xu, H.Q. Ni, Z.C. Niu. Nanoscale Res. Lett., 13, 1 (2018)
  16. E.N. Yitamben, R.E. Butera, B.S. Swartzentruber, R.J. Simonson, S. Misra, M.S. Carroll, E. Bussmann. New J. Phys., 19 (11), 113023 (2017)
  17. N.A. Fominykh, M.S. Sobolev, I.V. Ilkiv, D.V. Mokhov, T.N. Berezovskaya, A.D. Bouravleuv. J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012006 (2020)
  18. Y.P. Varshni. Phys. Rev. B, 2 (10), 3952 (1970)
  19. W.H. Jiang, X.L. Ye, B. Xu, H.Z. Xu, D. Ding, J.B. Liang, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 88 (5), 2539 (2000)
  20. I. Yeo. J. Dong Song, J. Lee. Appl. Phys. Lett., 99 (15), 151909 (2011)
  21. R. Heitz, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, A. Hoffmann, D. Bimberg. J. Electron. Mater., 28, 520 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme