Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полевые p-канальные транзисторы на основе GaN/AlN/GaN-гетероструктуры на кремниевой подложке

Журавлев М.Н.¹, Егоркин В.И.¹

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: maxim@org.miet.ru

Поступила в редакцию: 23 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 4 декабря 2023 г.

Принята к печати: 11 декабря 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены различные конструкции полевых p-канальных транзисторов на основе GaN/AlN/GaN-гетероструктуры. Канал создается поляризационно-индуцированным двумерным дырочным газом. Показано, что наибольшие значения тока насыщения и крутизны наблюдаются в транзисторе с затвором, формируемым двумерным электронным газом со стороны подложки. Ключевые слова: AlN/GaN-гетероструктура, двумерный дырочный газ, p-канальный транзистор, поляризация.

H. Amano, Y. Baines, E. Beam, M. Borga, T. Bouchet, P.R. Chalker, M. Charles, K.J. Chen, N. Chowdhury, R. Chu. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 163001 (2018)
A. Lidow, M. de Rooij, J. Strydom, D. Reusch, J. Glaser. GaN Transistors for Efficient Power Conversion (John Wiley \& Sons Ltd., 2019)
M.L. Schuette, A. Ketterson, B. Song, E. Beam, T.-M. Chou, M. Pilla, H.-Q. Tserng, X. Gao, S. Guo, P.J. Fay, H.G. Xing, P. Saunier. IEEE Electron Dev. Lett., 34 (6), 741 (2013)
R. Chaudhuri, S.J. Bader, Z. Chen, D.A. Muller, H.G. Xing, D. Jena. Science, 365, 1454 (2019)
F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 63 (19), 1 (2001)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94 (6), 3675 (2003)
O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A.J. Sierakowski, W.J. Schaff, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 87 (1), 334 (2000)
M. Kazan, E. Moussaed, R. Nader, P. Masri. Phys. Status Solidi, 4 (1), 204 (2007)
K. Adachi, H. Ogi, A. Nagakubo, N. Nakamura, M. Hirao, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori. J. Appl. Phys., 119 (24), 245111 (2016)
N. Nakamura, H. Ogi, M. Hirao. J. Appl. Phys., 111 (1), 013509 (2012)
A.V. Sotnikov, H. Schmidt, M. Weihnacht, E.P. Smirnova, T.Y. Chemekova, Y.N. Makarov. IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control., 57 (4), 808 (2010)
M.A. Reshchikov, M. Vorobiov, O. Andrieiev, K. Ding, N.Izyumskaya, V. Avrutin, A. Usikov, H. Helava, Y. Makarov. Sci. Rep., 10, 2223 (2020)
D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, M.E. Twigg. J. Cryst. Growth, 242 (1--2), 55 (2002)
Y. Zhang, Z. Chen, W. Li, H. Lee, M.R. Karim, A.R. Arehart, S.A. Ringel, S. Rajan, H. Zhao. J. Appl. Phys., 127 (21), 215707 (2020)
Z. Chen, Y. Zhang, H. Zhao. Opt. Express, 28 (18), 26651 (2020)
R. Chaudhuri, Z. Chen, D.A. Muller, H.G. Xing, D. Jena. J. Appl. Phys., 130 (2), 025703 (2021)
N. Remesh, N. Mohan, S. Raghavan, R. Muralidharan, D.N. Nath. IEEE Trans. Electron Dev., 67 (6), 2311 (2020)
A.Y. Polyakov, I.H. Lee. Mater. Sci. Eng. Reports, 94, 1 (2015)
К.С. Журавлев, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, О.Е. Терещенко, К.К. Абгарян, Д.Л. Ревизников, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Я.М. Парнес, В.Г. Тихомиров, И.П. Просвирин. ФТП, 51 (3), 395 (2017)
R. Beanland, D.J. Dunstan, P.J. Goodhew. Adv. Phys., 45 (2), 87 (1996)
I.P. Smorchkova, L. Chen, T. Mates, L. Shen, S. Heikman, B. Moran, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. J. Appl. Phys., 90 (10), 5196 (2001)
Yu Cao, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 90 (18), 182112 (2007)
F. Medjdoub, M. Zegaoui, D. Ducatteau, N. Rolland, P.A. Rolland. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (7), 874 2011
T. Zimmermann, D. Deen, Y. Cao, J. Simon, P. Fay, D. Jena, H.G. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 29 (7), 661 (2008)
U. Kaufmann, P. Schlotter, H. Obloh, K. Kohler, M. Maier. Phys. Rev. B, 62 (16), 10867 (2000)
T. Narita, H. Yoshida, K. Tomita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Horita, M. Bockowski, N. Ikarashi, J. Suda, T. Kachi, Y. Tokuda. J. Appl. Phys., 128 (9), 090901 (2020)
I.P. Smorchkova, E. Haus, B. Heying, P. Kozodoy, P. Fini, J.P. Ibbetson, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 76 (6), 718 (2000)
G. Greco, F. Iucolano, F. Roccaforte. Appl. Surf. Sci., 383, 324 (2016)
K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi. Jpn. J. Appl. Phys., 42 (4), 2254 (2003)
R.H. Horng, D.S. Wuu, Y.C. Lien, W.H. Lan. Appl. Phys. Lett., 79 (18), 2925 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель