Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик
Российский научный фонд, https://rscf.ru/project/22-22-00949/, 22-22-00949
Зубов Ф.И.
1, Шерняков Ю.М.2, Бекман А.А.2, Моисеев Э.И.1, Салий (Гусева) Ю.А.2,1, Кулагина М.М.2, Калюжный Н.А.2, Минтаиров С.А.2, Николаев А.В.2, Шерстнев Е.В.2, Максимов М.В.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: fedyazu@mail.ru, yuri.shernyakov@mail.ioffe.ru, Arts@mail.ioffe.ru, moiseev@spbau.com, Guseva.Julia@mail.ioffe.ru, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru, Mintairov@scell.ioffe.ru, a.v.nikolaev@mail.ioffe.ru, 89045512456@ya.ru, maximov.mikh@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 20 ноября 2023 г.
Принята к печати: 1 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 12 января 2024 г.
Предложена методика определения температуры лазерного диода, работающего в непрерывном режиме, а также теплового сопротивления прибора посредством сопоставления его вольт-амперной характеристики с импульсными вольт-амперными характеристиками, измеренными при различных температурах. Методика апробирована для 200 мкм полудискового микролазера с активной областью на основе квантовых точек InGaAs/GaAs. Установлено, что при токах, соответствующих пиковой лазерной мощности и гашению лазерной генерации ввиду перегрева активной области, температура прибора достигает 101 и 149oC соответственно. Тепловое сопротивление лазера составило 110 K/Вт. Ключевые слова: полудисковый микролазер, температура лазера, тепловое сопротивление, квантовые точки, лазерные диоды.
- T.W. Hansch, G.T. Kamiya, T.F. Krausz, G.B. Monemar, L.M. Ohtsu, T.H. Venghaus, B.H. Weber, B.H. Weinfurter. High Power Diode Lasers (Springer New York, N. Y., 2007)
- A.S. Payusov, A.A. Beckman, G.O. Kornyshov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.Yu. Gordeev. Semiconductors, 56, 919 (2022). http://dx.doi.org/10.21883/SC.2022.12.55152.4409
- F. Zubov, M. Maximov, E. Moiseev, A. Vorobyev, A. Mozharov, Yu. Berdnikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, M. Kulagina, N. Kryzhanovskaya, A. Zhukov. Optics Lett., 46, 3853 (2021). https://doi.org/10.1364/OL.432920
- Patent US8112243
- S.S. Saini, S.H. Cho, M. Dagenais. Photonics Packag. Integr. Interconnects VII, 6478, 647805 (2007). https://doi.org/10.1117/12.714295
- M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Y. Gordeev, Y.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Appl. Sci., 10, 1038 (2020). https://doi.org/10.3390/app10031038
- F.I. Zubov, E.I. Moiseev, M.V. Maximov, A.A. Vorobyev, A.M. Mozharov, N.A. Kaluzhnyy, S.A. Mintairov, M.M. Kulagina, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov. IEEE Photon. Technol. Lett., 34, 1349 (2020). https://doi.org/10.1109/LPT.2022.3216738
- F.I. Zubov, E.I. Moiseev, M.V. Maximov, A.A. Vorobyev, A.M. Mozharov, Yu.M. Shernyakov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.M. Kulagina, V.G. Dubrovskii, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov. Laser Phys., 32, 125802 (2022). https://doi.org/10.1088/1555-6611/ac996f
- F. Zubov, E. Moiseev, M. Maximov, A. Vorobyev, A. Mozharov, Y. Shernyakov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, M. Kulagina, V. Dubrovskii, N. Kryzhanovskaya, A. Zhukov. Photonics, 10, 290 (2023). https://doi.org/10.3390/photonics10030290
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
