Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Теоретические оценки фактора термоэлектрической мощности графена, капсулированного между 3D и 2D полупроводниковыми и металлическими слоями

Давыдов С.Ю.¹, Посредник О.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: Sergei_Davydov@mail.ru, ovposrednik@etu.ru

Поступила в редакцию: 13 сентября 2023 г.

В окончательной редакции: 13 декабря 2023 г.

Принята к печати: 20 декабря 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Определены условия экстремальности значений проводимости sigma, коэффициента Зеебека S и фактора термоэлектрической мощности PF=sigma S² капсулированного графена, рассматриваемых как функции химического потенциала μ. В качестве обкладок рассмотрены 3D и 2D полупроводники и переходные металлы. Использование простых моделей позволило получить аналитические результаты. Численные оценки выполнены для однолистного графена и объемных Si, Ge и 16 бинарных III-V и II-VI соединений, шести двумерных полупроводниковых дихалькагенидов переходных металлов и всех элементов 3d-, 4d- и 5d-рядов. Приведены рекомендации материалов обкладок, позволяющих максимизировать термоэлектрические характеристики. Кратко обсуждается также капсулированный двухслойный графен. Ключевые слова: термоэлектрические характеристики, капсулированный графен, 3D полупроводники, 2D дихалькагениды переходных металлов, 3D и 2D переходные металлы.

A.M. Dehkordi, M. Zebarjad, J. He, T.M. Tritt. Mater. Sci. Engin. R: Reports, 97, 1 (2015)
Y. Xia, J. Park, F. Zhou, V. Ozolins. Phys. Rev. Appl., 11, 024017 (2019)
E.B. Isaacs, C. Wolverton. Phys. Rev. Mater., 3, 015403 (2019)
S. Wei, C. Wang, S. Fan, G. Gao. J. Appl. Phys., 127, 155103 (2020)
D. Li, Y. Gong, Y. Chen, J. Lin, Q. Khan, Y. Zhang, Y. Li, H. Zhang, H. Xie. Nano-Micro Lett., 12, 36 (2020)
H. Usui. K. Kuroki. J. Appl. Phys., 121, 165101 (2017)
E.H. Hasdeo, L.P.A. Krisna, M.Y. Hanna, B.E. Gunara, N.T. Hung, A.R.T. Nugraha. J. Appl. Phys., 126, 035109 (2019)
Y. Xia, J. Park, V. Ozolins, C. Wolverton. Phys. Rev. B, 100, 201401(R) (2019)
J.M. Adhidewata, A.R.T. Nugraha, E.H. Hasdeo, P. Estell, B.E. Gunara. arXiv: 2107.06826
A. Darmawan, E. Suprayoga, A.R.T. Nugraha, A.A. AlShaikhi. arXiv: 2107.10603
K.L. Grosse, M.-H. Bae, F. Lian, E. Pop, W.P. King. Nature Nanotechnol., 6, 287 (2011)
J. Duan, X. Wang, X. Lai, G. Li, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Zebarjadi, E.Y. Andrei. PNAS, 113, 14272 (2016)
Z.Z. Alisultanov. Low Temp. Phys., 39, 592 (2013)
С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 65, 652 (2023). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State, 65, 635 (2023)]
С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 47 (13), 52 (2021). [S.Yu. Davydov. Techn. Phys. Lett., 47, 649 (2021)]
C. Persson, U. Lidefelt. Materials Science Forum, 264--268, 275 (1998)
С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 84 (4), 155 (2014). [S.Yu. Davydov. Techn. Phys., 59, 624 (2014)]
Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990) гл. 4
S. Mammadov, J. Ristein, J. Krone, C. Raidel, M. Wanke, V. Wiesmann, F. Speck, T. Seyller. 2D Mater., 4, 015043 (2017)
A.H. Castro Nero, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
J.O. Sofo, G.D. Mahan. Phys. Rev. B, 49, 4565 (1994)
Z.M. Gibbs, H.S. Kim, H. Wang, G.J. Snyder. Appl. Phys. Lett., 106, 022112 (2015)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 64 (6), 817 (2021)
В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (Екатиренбург, УрО РАН, 2004) гл. 2
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) гл. 20
Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967) гл. 18
С.Ю. Давыдов, В.О. Посредник. Письма ЖТФ, 47 (11), 37 (2021)
В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов (Киев, Наук. думка, 1981)
И. В. Антонова. ФТП, 50, 67 (2016). [I.V. Antonova. Semiconductors, 50, 66 (2016)]
С.Ю. Давыдов. ФТП, 51, 226 (2017). [S.Yu. Davydov. Semiconductors, 51, 217 (2017)]
С.Ю. Давыдов. ФТП, 54, 446 (2020). [S.Yu. Davydov. Semiconductors, 54, 523 (2020)]
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 62, 955 (2020). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State, 62, 1085 (2020)]
A. Chaves, J.G. Azadani, H. Alsalman, D.R. da Costa, R. Frisenda, A.J. Chaves, S.H. Song, Y.D. Kim, D. He, J. Zhou, A. Castellanos-Gomez, F.M. Peeters, Z. Liu, C.L. Hinkle, S.-H. Oh, P.D. Ye, S.J. Koester, Y.H. Lee, Ph. Avouris, X. Wang, T. Low. 2D Mater. Appl., 4, 29 (2020)
Y. Jing, B. Liu, X. Zhu, F. Ouyang, J. Sun, Y. Zhou. Nanophotonics, 9, 1675 (2020)
J. Kang, S. Tongay, J. Zhou, J. Li, J. Wu. Appl. Phys. Lett., 102, 012111 (2013)
J.A. Silva-Guillen, P. San-Jose, R. Roldan. Appl. Sci., 6, 284 (2016)
A.C. Dias, F. Qu, D.L. Azevedo, J. Fu. Phys. Rev. B, 98, 075202 (2018)
S.K. Pandey, R. Das, P. Mahadevan. ACS Omega, 5, 15169 (2020)
S. Aas, C. Bulutaya. J. Appl. Phys., 126, 115701 (2019)
F.D.M. Haldane, P.W. Anderspn. Phys. Rev. B, 13, 2553 (1976)
J. Nevalaita, P. Koskinen. Phys. Rev. B, 97, 035411 (2018)
J. Nevalaita, P. Koskinen. AIP Advances, 10, 065327 (2020)
S. Ono. Phys. Rev. B, 102, 166424 (2020)
T. Wang, M. Park, Q. Yu, J. Zhang, Y. Yang. Materials Today Advances, 8, 100092 (2020)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 55, 1433 (2013). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State, 55, 1536 (2013)]
S. Kim, J. Ihm, H.J. Choi, Y.-W. Son. Phys. Rev. Lett., 100, 176802 (2008)
T. Jayasekera, S. Xu, K.W. Kim, B. Nardell. Phys. Rev. B, 84, 035442 (2011)
А.А. Варламов, А.В. Кавокин, И.А. Лукьянчук, С.Г. Шарапов. УФН, 182, 1229 (2012). A.A. Varlamov, A.V. Kavokin, I.A. Luk'yanchuk, S.G. Sharapov. [Phys.-Uspekhi, 55, 1146 (2012)]
J.M. Buhmann, M. Sigrist. Phys. Rev. B, 88, 115128 (2013)
M.I. Katsnelson. Graphene (N.Y., Cambridge University Press, 2012)
E. McCann, M. Koshino. Rep. Progr. Phys., 76, 056503 (2013)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 779 (2016). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State, 58, 804 (2016)]
M. Barbier, P. Vasilopoulos, F.M. Peeters. Phil. Trans. R. Soc., Math. Phys. Engin. Sci., 368, 5499 (2011)
M. Killi, S. Wu, A. Paramekanti. Phys. Rev. Lett., 107, 086801 (2011)
T.P. Kaloni, Y.C. Cheng, U. Schwingenschlogl. J. Mater. Chem., 22, 919 (2012)
F. Sattari, E. Faizabadi. Inter. J. Mod. Phys. B, 27, 1350024 (2013)
C.H. Pham, T.T. Nguyen, V.L. Nguyen. J. Appl. Phys., 116, 123707 (2014)
L. Azadi, S. Shojaei. J. Comput. Electron., 20, 1248 (2021)
S.A.A. Ghorashi, A. Dunbrack, J. Sun, X. Du, J. Cano. arXiv: 2206.13501
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 64, 1828 (2022). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State, 64, 1792 (2022)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель