Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Применение метода рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границе квантовой ямы в лазерных структурах на основе системы AlGaAs/GaAs

Березуцкий А.В.¹, Микаелян Г.Т.¹, Таривердиев С.Д.¹

¹ООО "Лассард", Обнинск, Калужская обл., Россия LLC "Lassard", Obninsk, Kaluga region, Russia

Email: tekton1321@gmail.com

Поступила в редакцию: 31 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 14 июня 2023 г.

Принята к печати: 12 декабря 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлена возможность применения методики рентгеновской рефлектометрии для определения градиентов состава на границах квантовой ямы в гетероструктурах на основе AlGaAs/GaAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Показано, что эта методика применим на этапе отработки активной области. Подобраны параметры снятия рефлектометрических кривых. Измерены градиентные составы в экспериментальном образце. Ключевые слова: рентгеновская рефлектометрия, квантовая яма, гетерогнаница, переходный слой, GaAs.

L. Gottwaldt, K. Pierz, F.J. Ahlers, E.O. G.bel, S. Nau, T. Torunski, W. Stolz. J. Appl. Phys., 94 (4), 2464 (2003)
I. Kojima, B. Li. Rigaku J., 16 (2), 31 (1999)
K. Stoev, K. Sakurai. Rigaku J., 14 (2), 22 (1997)
M.E. Vickers, M.J. Kappers, T.M. Smeeton, E.J. Thruch, J.S. Barnard, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 94 (3), 1565 (2003)
M.E. Vickers, J.L. Hollander, C. McAleese, M.J. Kappers, M.A. Moram, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 111 (4), 43502 (2012)
L.I. Goray, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, I. Ilkiv, A.S. Dashkov, Yu.A. Vainer, M.V. Svechnikov, P.A. Yunin, N. Chkhalo, A. Bouravlev. Semiconductors, 53 (14), 1910 (2019)
E. Spiller. Rev. Phys., 23, 1687 (1988)
В.П. Мартовицкий. Автореф. докт. дис. (М., Физический ин-т им. П.Н. Лебедева РАН, 2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель