Вышедшие номера
Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок "сверху-вниз"
Буравлев А.Д.1,2,3,4, Казакин А.Н.5, Нащекина Ю.А.3,6, Нащекин А.В.3, Убыйвовк Е.В.3, Астраханцева В.А.1, Осипов А.В.7, Святец Г.В.8, Кукушкин С.А.7
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6Институт цитологии Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
8OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
Email: bour@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.
Принята к печати: 6 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.

При проведении экспериментов по синтезу слоев карбида кремния на монокристаллических подложках кремния с помощью метода согласованного замещения атомов обнаружено, что образование тонких пленок карбида кремния может сопровождаться формированием массивов нанотрубок карбида кремния произрастающих в глубь кремниевых подложек. Таким образом, впервые обнаружен новый механизм образования карбид-кремниевых нанотрубок -"сверху-вниз". Ключевые слова: карбид кремния, нанотрубки, пар-жидкость-кристалл, формирование наноструктур. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56201.28k
  1. S. Chen, W. Li, X. Li, W. Yang. Progr. Mater. Sci., 104, 138 (2019)
  2. D. Ruixue, Y. Yintang, L. Lianxi. J. Semiconductors, 30 (11), 114010 (2009)
  3. X. Wang, K.M. Liew. J. Phys. Chem. C, 115 (21), 10388 (2011)
  4. R.S. Singh. Diamond Relat. Mater., 124, 108932 (2021)
  5. M. Ollivier, L. Latu-Romain, B. Salem. Mater. Sci. Semicond. Process., 29, 218 (2015)
  6. K. Nakamura, T. Toriyama, S. Sugiyama. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 06GE05 (2011)
  7. S. Chen, P. Ying, L. Wang, F. Gao. RSC Advances, 4, 8376 (2014)
  8. A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 113, 144303 (2013)
  9. A. Bouravleuv, I. Ilkiv, R. Reznik, K. Kotlyar, I. Soshnikov, G. Cirlin, P. Brunkov, D. Kirilenko, L. Bondarenko, A. Nepomnyaschiy, D. Gruznev, A. Zotov, A. Saranin, V. Dhaka, H. Lipsanen. Nanotechnology, 29, 045602 (2017)
  10. Y. Berdnikov, I. Ilkiv, N. Sibirev, E. Ubyivovk, A. Bouravleuv. Nanotechnology, 37, 374005 (2020)
  11. H. Ye, N. Titchenal, Y. Gogotsi, F. Ko. Adv. Mater., 17 (12), 1531 (2005)
  12. V.C.S. Tony, Ch.H. Voon, Ch.Ch. Lee. Mater. Res., 20 (6), 1658 (2017)
  13. M. Mehregany, C.A. Zorman. Thin Sol. Films, 355--356, 518 (1999)
  14. Y. Hirano, T. Inada. J. Appl. Phys., 77, 1020 (1995)
  15. J.U. Hassan, P. Bergman, A. Henry. Mater. Sci. Forum, 556, 53 (2007)
  16. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
  17. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Inorg. Mater., 57 (13), 1319 (2021)
  18. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Condens. Matter and Interphases, 24 (4), 407 (2022)
  19. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков. ФТП, 51 (3), 414 (2017). (S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Red'kov. Semiconductors, 51 (3), 396 (2017). doi: 10.1134/S1063782617030149)
  20. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Physica B, 512, 26 (2017). http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2017.02.018
  21. R. Rusinek, M. Molenda, J. Horabik. Powder Tech., 190 (3), 410 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.