Методом микроволновой вольт-импедансной спектроскопии исследована полупроводниковая структура в виде легированной пленки n-GaAs, выращенная на проводящей подложке n^+-GaAs с буферным подслоем. На поверхности структуры сформирована система концентрических барьерных контактов. Разработана методика измерения спектра комплексного импеданса образца Z(f,U) как функции постоянного напряжения смещения U. Спектры Z(f,U) измерены при помощи зондовой станции Cascade Microtech в диапазоне 0.01-40 ГГц с латеральным разрешением 15-30 мкм при U=0-10 В. По спектрам определены основные электрофизические характеристики полупроводниковой пленки - тип, концентрация и подвижность свободных носителей заряда, удельная электропроводность. В диапазоне f=0.1-20 ГГц обнаружено избыточное сопротивление. Данный эффект интерпретирован как сопротивление перезарядки глубоких состояний (ловушек) двух типов - низкочастотных l и высокочастотных h с характерным временем tau_l=10^-9 с, tau_h=4.2·10^-11 с. Предложено модельное описание, объясняющее характерную форму спектра сопротивления ловушек, его зависимость от площади контакта и напряжения U. Ключевые слова: микроволновый диапазон, ближнее поле, импеданс, полупроводник, барьерный контакт, глубокие состояния, электрофизические характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.