Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Расчет резонансных состояний двухвалентного кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe
Российский научный фонд, Конкурс 2022 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 22-72-10111
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zholudev@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Проведены расчеты энергий локализованных и резонансных состояний двухвалентного кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe. Расчеты проведены в приближении сферической симметрии с помощью метода матрицы рассеяния в рамках трехзонной модели Кейна, учитывающей зону проводимости и две верхние валентные зоны. Показано, что формирование одночастичного состояния мало вероятно, если двухчастичное состояние является резонансным. Ключевые слова: двухвалентный акцептор, резонансные состояния, кадмий-ртуть-теллур.
- M. Orlita, K. Masztalerz, C. Faugeras, M. Potemski, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 83, 115307 (2011)
- B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
- M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
- M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, P. Ne-gebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski. Nature Physics, 10, 233 (2014)
- A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20, 279 (2012)
- S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 111, 192101 (2017)
- K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, M.S. Zholudev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.G. Remesnik, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Appl. Phys., 130, 214302 (2021)
- V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32, 095007 (2017)
- V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28, 125007 (2013)
- Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, Н.С. Куликов, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, Х.-В. Хюберс, Ф. Теппе, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 109, 679 (2019)
- М.С. Жолудев, Д.В. Козлов, Н.С. Куликов, А.А. Разова, В.И. Гавриленко, and С.В. Морозов. ФТП, 54, 695 (2020)
- М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, С.В. Морозов. ФТП, 55, 391 (2021)
- M.S. Zholudev, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov. Semicond. Sci. Technol., 37, 025003 (2022)
- М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 116, 307 (2022)
- E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035321 (2005)
- Д.В. Козлов, Т.А. Уаман Светикова, А.В. Иконников, В.В. Румянцев, А.А. Разова, М.С. Жолудев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов. Письма ЖЭТФ, 113, 399 (2021)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
